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关于HIT论坛问题交流: 1. 非晶硅的沉积在常规产线PECVD上可以完成吗，或是需要怎样的调整？ 回答：不可以在常规产线上完成，设备结构完全不同，所用特气只有硅烷相同，常规产线的PECVD无法用于HIT电池制作非晶硅； 2. 目前行业主流的非晶硅沉积设备有哪些(包括厂商)？ 回答：美国应用材料、梅耶博格、瑞士indotec、韩国Jusung，台湾精曜、日本ULvac、上海理想能源 3. 非晶硅在行业内成本怎么样( 和背钝化的氧化铝相比)？ 回答：HIT电池沉积的四层非晶硅成本与perc电池的氧化铝成本差不多。 非晶硅钝化和氧化铝钝化是两回事，非晶硅是化学钝化，而氧化铝属于场钝化，两者钝化原理不同，当然钝化效果也不一致； 4. TCO的制备，目前业界主流设备有哪些？ 回答：日本ULvac、德国冯.阿登纳、应用材料PVD(光伏部分已经停产)、韩国sntek、德国singulus、梅耶博格、台湾精曜等。。。。 5. PVD在HIT上应用，有没有其他方式可以实现？ 回答：PVD广泛用于薄膜电池以及半导体行业，HIT只是PVD应用的很小的一个部分,主要沉积的是ITO的TCO导电薄膜 还有一种TCO制备叫反应等离子体沉积（RPD），沉积的是IWO薄膜 6. TCO到底是一个什么样的概念(就像SINx膜是氨气和硅烷的合成)？ 回答：TCO全称叫透明导电薄膜，作用是透光、减反以及导电，是简并的N型半导体，氮化硅只是透光和减反是绝缘体。 TCO现在常用的是ITO和IWO，分别是氧化铟掺锡和氧化铟掺钨，本身是混合好的固体，利用磁控溅射镀膜技术和蒸镀沉积到硅片正反面； 7. HIT现在的成本以及未来的成本下降趋势； 回答：现如今成电池成本较perc高10-20%之间，组件成本低于常规组件perc至少10%，总体来说只要靶材、银浆以、硅片切薄以及电镀铜，组件多主栅和叠片技术，最终HIT完全可以匹配现有perc成本。 8. smrtwire现在在国内有没有类似的供应商； 回答：SWCT只是梅耶博格推广的技术，SWCT使用低熔點合金與電池連接，MBB使用焊接，電池做到130um以下時，要盡量避免使用應力會累積的焊接技術，這也是為什麼松下使用CF模組技術的原因。疊瓦某種程度也達到這個目的，使用導電膠。这种技术对组件的功率提升大概在5W，提升有限，后续的HIT可能会直接越过SWCT和MBB（不适合HIT）直接叠片； 9. 目前HIT量产效率22%，比较单晶PERC或PERT双面，效率21.5%考虑成本及工艺稳定性并没有优势，发展前景如何？另外双面电池效率测试官方标准大概什么时候推出来？ 回答：HIT现在量产效率是偏低的，原因可能是设备陈旧以及本身工艺优化做的不好，现在HIT门槛效率是22.5%，相信明年会轻松突破23%。 还有HIT电池生产稳定性没有大家想的那么严，电池良率可以轻松到99%，只是产线管控稍微比常规严一点，没有不稳定一说。 双面的HIT电池，背面的功率可以做到正面的90-95%,如果技术功底好98%也是可能的。 成本计算： 效率折算：perc双面电池正面效率21.5%，背面16%，等效正面效率21.5+1.6=23.1 PERC双面组件的测试光强=（1+背面短路电流/正面短路电流*0.135）*1000W=1100W PERC组件功率=330W HIT正面效率23%，背面21%，等效正面效率23+2.1=25.1 HIT双面组件测试光强=（1+背面短路电流/正面短路电流*0.135）=1186W HIT组件功率(60)=375W以上 两者组件功率差异在40W，电池等效正面效率差异2%，效率每升高1%，成本降低7-8%，2个百分点15%左右。今年关键靶材方面已经国产，银浆现在价格也接近高温银浆，现如今上的企业只要设备选型合理工艺优化做得好，HIT电池和perc电池成本完全可以缩减在10%之内。再加上发电端的优势如下： Perc电池第一年衰减3%，后面每年衰减0.7，HIT电池首年0.5，第二年开始0.4，松下HIT组件用了11年，衰减2-3%（单玻）。 Perc电池20年后只剩下83%左右，HIT至少还有91.5%以上，HIT双面率更高，整个发电生涯完全可以较单面perc组件多发20-30%的电。 双面电池现在只测试正面效率，没有标准而言，现在标准都是针对双面组件测试，算法和上面公式一致，综合正背面短流获取光强测试； 总之HIT电池成本是高在硅片、电池，硅片贵5-8%，切薄即可，电池主要是看材料和设备国产化，近两年会得到解决，组件端双玻再加上效率高成本低于perc，发电端优势较大，双面发电以及温度系数可以碾压所有晶体硅量产光伏电池； P PERC 做到量產22%沒有問題，再上去就要增加至少五道製程及設備，這樣100MW的總投資額會超過HJT,且既有廠房的layout及生產流程大亂 N PERT:在雙面P PERC出現後，定位變得尷尬。正面效率跟perc差不多，背面也沒有高很多，又沒有HJT溫度係數的優勢 10、目前国内Hit最高效率是多少？与日本还有多少差距？hit的成本如何核算？ 回答：效率最高为上海微系统23.6%（电极采用印刷），日本技术最高为kanaka（钟华）26.63%的HBC电池，同时他们研发最高HIT电池效率为25.1%，如果国内采用电镀铜可以到达24%，但是日本25.1%采用的是五寸125的硅片效率容易做高一些。 目前得知的訊息為HIT在小批量生產(100MW)的情形下, 組件生產成本為0.55-0.7 USD/W, =>採用多主柵及500MW生產架構，成本可到0.4 USD/W 11、行业内使用的浆料是哪个国家的？是否方便透露品牌？ 回答：主要是日本京都电子、namics、京瓷，德国汉高，国产的较多在微系统进行过测试，数据还不错，只是拉力欠佳； 12、电阻值要求是？线宽现在做到多少了？拉力要求是多少，用的是常规晶硅焊带还是低温焊带？导电层是ITO还是其他类型？一般要求烘干温度是多少，多久的烘干温度？保存时间和保存温度是否有要求？ 回答：低温银浆电阻率在5-7*10-6Ω.cm，网版开口和网版具体参数与银浆有关，网版开口可以到30um，印刷后在50-60之间，拉力要求焊接后≥1N/mm，常规晶体硅焊带即可。导电层较多，现如今主要是ITO与IWO，以及实验用过的ITIO以及SRE。印刷烘干温度在120-180度之间，一般3min，最后固化温度在200度左右，时间30-40min。低温银浆的保存温度各个厂家不一样，有厂家要求-25度保存的，有厂家要求0-10度，当然现在也有推出常温25度保存的（实验样品），低温银浆由于特殊的保存条件所以没有什么具体保质期，一般是3-6个月，如果保存的较好半年内是没问题。 |
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