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【起搏】李金苒、汪芳老师:埋藏式心脏转复除颤器相关电风暴的发生机制

 zhaoeliteD 2018-01-29



埋藏式心脏转复除颤器相关电风暴的发生机制

李金苒、汪芳

南京医科大学市一临床医学院

上海市第一人民医院

心源性猝死的高危患者可植入埋藏式心脏转复除颤器(ICD)预防恶性心律失常,但增加了电风暴的发生率。此类患者潜在的致心律失常病理基质,ICD植入术中的操作损伤、阈值检测损伤以及ICD的电除颤治疗或误放电带来的电活动改变,都有可能导致恶性心律失常的发生。治疗患者本身存在的致心律失常病理基质和减少ICD相关的心脏损伤是ICD相关电风暴的治疗关键。 

埋藏式心脏转复除颤器(implantablecardiac defibrillator,ICD)是目前预防心源性猝死(sudden cardiac death,SCD)的首选措施,可明显降低SCD高危患者的死亡率。

而ICD术后长期随访研究MADIT-II亚组分析及AVID研究的结果表明,一级预防ICD 植入者电风暴(electricalstorm,ES)发生率为4%,二级预防ICD植入者ES发生率为20%。ES的反复发作是影响ICD植入患者生存质量和治疗效果的重要因素。通常认为ES是一种心脏电活动不稳定的状态,即24h内室性心动过速或心室颤动(VT/VF)发作3次或以上,需紧急电复律或电除颤处理的临床症候群,多见于急性冠状动脉综合征(ACS)、非缺血性心肌病及遗传性离子通道异常等疾病。ICD相关ES的发生可能存在多种潜在机制,目前尚无大型随机临床研究或动物研究来证实。笔者讨论内容包括ICD植入患者发生ES的病理解剖基础与ICD植入及其治疗中增加恶性心律失常发生率的可能诱导因素来探讨ICD相关ES的可能发生机制。

1 心律失常的发生机制

心律失常的发生是正常心肌细胞电活动的产生及传导异常的结果。关于正常心肌细胞的电活动及其影响因素已有大量研究及讨论,笔者不作赘述。一般认为,心律失常的发生机制主要包括异常自律性、触发活动和折返三个方面。

异常自律性是指正常情况下无自律性的工作心肌细胞,在某些病理情况下细胞膜性状及细胞内外离子环境改变,可在舒张期自动去极化产生动作电位。

触发活动通常由后去极化引起。去极化的发生与动作电位时程(APD)延长及细胞内钙超载相关。当去极化的振幅达到阈电位水平,可提早引发动作电位,引起心肌细胞的反复激动,持续的反复激动则可导致心律失常的发生。

病理情况下,心肌细胞复极化离散度增大或心肌细胞外基质增多,心肌兴奋传导速度改变,心肌细胞有效不应期(ERP)长短不一,兴奋传导时可出现功能性或结构性传导阻滞,形成折返。

2 ICD植入患者致恶性心律失常的机制

ICD植入治疗目的包括一级预防即指对于有SCD危险因素,但未发生过持续性VT、VF或心搏骤停的患者的治疗。主要为缺血性或非缺血性心肌病的心功能不全患者。二级预防即指已发生过持续性VT、VF或心搏骤停的患者预防SCD发生的治疗。

2.1 一级预防人群潜在致心律失常基础 

心力衰竭(简称心衰)本身是ES发生的危险因素,同时ES也是心衰患者心功能恶化的重要因素。通常认为心衰患者ES发作的主要机制是触发活动和折返。在关于ICD植入术后的长期随访中发现,有40% 的ICD 植入患者左室射血分数(LVEF)较术前明显改善,同时其全因死亡率及电除颤治疗的发生率也随之降低。患者LVEF的提高可降低患者全因死亡率及恶性心律失常发生的风险,但不能完全阻止恶性心律失常事件的发生。可能与心衰恶化过程中因心功能不全及心肌重塑已经形成易致恶性心律失常的潜在病理基础。

心衰患者心输出量减少,反射性引起交感神经亢进,心率加快,心脏电活动的静息期即舒张间期(DI)缩短,由于心肌细胞的ERP受APD影响,APD的长短取决于前一个DI的长短。DI缩短引起APD的较大变化,导致ERP的剧烈变化,心肌细胞复极化离散度增加;同时细胞内钙离子水平恢复时间缩短,细胞内钙负荷增加,减少钙离子依赖的L-型钙离子通道失活,APD延长,这些增加了心肌细胞复极化的时空不均一性,导致激动传导的折返,出现心律失常。另一方面,交感神经亢进促进儿茶酚胺释放,提高钙离子敏感性激酶II活性及胞内环磷腺苷酸水平,促进L-型钙离子通道及肌质网雷诺丁受体(RyR2)磷酸化,肌质网钙泵去磷酸化,减少L-型钙离子通道失活,增加RyR2敏感性,促进肌质网的钙释放,加重细胞内钙超载,诱发延迟后除极(DADs),达阈电位后产生动作电位,导致心律失常。

心衰发生发展过程中心肌细胞重塑,基因表达谱改变,使心肌细胞兴奋性及传导性发生改变,促使心律失常的发生。对于心肌梗死(简称心梗)后心功能不全患者,因心肌细胞发生缺血性损伤,细胞表面离子通道活性及膜蛋白性质发生重构,引起细胞离子活动异常,心肌细胞静息期膜电位更接近阈电位水平,心肌细胞易产生兴奋性,甚至可因某些离子通道及离子分布改变而产生异常自律性。梗死区域心肌细胞修复过程中,交感神经纤维出现再分布和超分布,即交感神经重构,心肌组织更易受儿茶酚胺影响。心梗后心室重构过程中,心肌组织纤维化加重,使心肌细胞APD延长,降低传导性,增加心肌复极化离散度,导致心律失常发生。

2.2 二级预防人群潜在致心律失常基础 

既往有恶性心律失常发作史常见于ACS、陈旧性心梗、原发性心肌病或心肌离子通道异常疾病等。此类人群本身具有致心律失常的心脏解剖的病理改变或遗传特点。

ACS患者由于心肌细胞急性缺血,出现细胞内外离子紊乱。一方面,细胞内钙负荷异常,使心肌细胞APD延长,产生早期后除极(EADs),从而诱发VT/VF;另一方面,这种离子紊乱是心肌细胞静息膜电位向去极化方向改变,在心肌的缺血区与非缺血区之间形成电流,出现异常自律性诱发VT/VF。同时,在ACS急性期,交感神经亢进及过快的心率,会改变细胞内钙负荷,从而出现DADs,诱发VT/VF。

陈旧性心梗心肌瘢痕修复过程中形成纤维结缔组织。

纤维组织的存在促使周围心肌细胞的有效去极化过程变慢,减慢心电传导,形成慢传导通道,而快速兴奋的心肌细胞恢复兴奋性,再次去极化,形成持续不断兴奋的折返环,导致VT/VF发生。而折返是持续性室性心律失常的主要机制。

同时,心肌重塑过程中,交感神经重构通过钙离子敏感性激酶II及胞内环磷腺苷酸改变心肌内钙负荷,诱发DADs,导致心律失常。

原发性心肌病出现心肌重塑、心肌细胞变性肥大、间质纤维化并有少量炎性细胞浸润,导致心肌复极化离散度增大,各部位心电传导速度差异形成折返,导致VT/VF发生。

心肌离子通道异常疾病因离子通道异常,改变心肌APD中离子内外流动异常,促使EADs/DADs的发生,进一步诱发心律失常。

上述疾病在发生一次VT/VF后加重了细胞内外离子浓度的异常、交感神经兴奋性及心肌缺血,改变细胞内钙负荷,进一步诱发EADs/DADs,促进下一次VT/VF的发生,出现ES[16]。有研究证明ICD植入术后患者发生ES常与术前已存在的恶性心律失常事件有密切相关性[26-27]。术前存在恶性心律失常发作事件的患者ES的发生率明显高于其他人群,且ES的发作类型常与术前恶性心律失常相同。可能与致恶性心律失常发作的潜在病理条件或离子通道疾病在ICD植入术后并未改善相关。

2.3 ICD植入术及治疗的促心律失常机制 

ICD的电除颤治疗措施本身会引起心脏损伤,主要表现为电击治疗诱导的细胞膜通透性改变、细胞内钙紊乱及炎症等。Furniss等[30]及Schluter[31]等研究发现,ICD植入术后,循环血液中cTnI及cTnT水平较基础水平的升高,通常在术后4h达高峰。因此,推测ICD植入手术可能引起心肌细胞的损伤,主要为心肌细胞膜通透性的改变。此外,Semmler等[32]的研究进一步提出,ICD植入术后出现的心肌细胞损伤与除颤阈

值检测(DFT)中的电除颤相关,而与术中诱导的室性心律失常无明显关系。对于存在SCD危险因素的患者,ICD植入术中的细胞损伤及电解质轻度改变,有可能进一步促进VT/VF发生。VT/VF发生后,ICD检测并干预治疗[抗心动过速起搏(ATP)或电除颤治疗]一方面可加重心肌缺血,引起交感神经过度激活,促进心律失常发生;另一方面可引起心肌细胞内钙负荷及APD的一过性改变,即细胞内钙负荷明显减少和APD明显缩短,有可能成为下一个室性心律失常的发生原因。

Cagli等也认为反复的ICD电除颤治疗可因ICD器械本身功能障碍、起搏易化及改变心肌细胞复极离散度等导致VT 的反复发生。有研究认为ICD治疗本身有潜在的致心律失常作用,虽很少引起恶性心律失常,但可明显增加患者电除颤治疗的发生率,主要与ICD治疗中诱导出现新的功能阻滞区而形成折返,改变心肌细胞APD使复极离散度增大等相关。通过调整ICD的监测和程控模式,可有效减少ICD的不恰当治疗,从而提高患者的生存率和生存质量。这从另一方面证实了ICD治疗本身可能存在致心律失常作用。

3 恶性心律失常复发的机制

ES发作是潜在的病理基质和临床诱发因素共同作用的结果。临床研究结果显示,ES的诱发因素主要包括精神紧张、ACS、心衰进展及电解质紊乱等。VT/VF发作及电除颤治疗本身也可能是VT/VF复发的潜在因素。

VT/VF发作时心率较快,舒张期明显缩短或心脏无效泵血加重心肌缺血,改变细胞膜通透性及离子通道性状,L-型钙离子通道反复激活,同时DI缩短使经钠钙交换体转出细胞的钙离子减少,加重细胞内钙超载。细胞内钙超载可通过后除极引起一个或数个动作电位产生,导致VT/VF再次发作。另一方面,因EAD而出现的APD延长使心肌不同部位复极化离散度增大,某些部位产生功能性阻滞,形成激动传导的折返环,诱发VT/VF发作。

电除颤成功需要一定的电流强度,电流过强或不恰当的电除颤治疗可使心脏产生电击伤,出现心肌细胞不同程度的损伤或出现电解质紊乱,可能诱发下一次恶性心律失常发作。电流强度不足时,细胞内外离子浓度短暂变化也有可能诱发下一次恶性心律失常发作。另外,电除颤治疗使交感神经亢进,促进儿茶酚胺释放,冠状动脉收缩,加重心肌缺血。交感神经亢进与加重的心肌缺血共同诱发心律失常。

4 总结

ICD植入治疗的主要目的是预防因恶性心律失常而导致的SCD,可有效提高SCD危险患者的生存率。但ICD治疗的潜在致心律失常作用可能削弱了其治疗带来的益处,如何平衡ICD治疗带来的益处与弊端是临床医生治疗决策的关键。

ICD植入患者本身已存在导致恶性心律失常的病理基础,ICD植入手术的损伤、DFT 引起的心肌细胞损伤及ICD的ATP或电除颤治疗的潜在致心律失常作用可能进一步加重了这种病理改变,诱发心律失常。

虽已有研究证实了ICD植入及治疗可损伤心肌细胞,但其损伤可能的致心律失常作用缺乏深入的研究资料治疗患者本身存在的致心律失常病理基质和减少ICD相关的心脏损伤是ICD相关ES的治疗关键。

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