IGBT的汉语名为绝缘栅双极型晶体管,其是由一个MOS场效应管和一个大功率双极型三极管组合而成的,内部等效电路与复合管相似,可以看成是一个MOS管和一个大功率三极管构成的复合管。 从上图可见,IGBT的输入端就是一个MOS场效应管,其输出端为一个双极型三极管。其输入特性与MOS场效应管相似,属于电压控制(输入电流极小),这样可以减小前级驱动电路的负担;其输出特性与双极型三极管相似,在大电流下具有较小的饱和压降。 IGBT和场效应管皆为电压控制器件,工作时从前级电路汲取的电流很小(μA级),它们都具有良好的高频性能。IGBT多用于高电压、大电流场合,而在低电压大电流下,VMOS场效应管则更具有优势。此外,场效应管的高频性能比IGBT更好,并且价格也比IGBT便宜。 上图为电磁炉上常用的25N120功率管,其电流为25A,BVceo为1200V,Pc为310W,饱和压降为2.5V。 10N60为TO-220封装的N沟道场效应管。其漏极电流为10A,耐压值为600V,导通电阻Rds为0.73Ω。 若想了解更多的电子电路知识,请关注本头条号,谢谢。 |
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