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近期紫光国芯旗下西安紫光国芯半导体有限公司网站显示，其DDR4内存模组已经发布。 该公司的DDR4模块采用两种非缓冲DIMM（U-DIMM）和SO-DIMM开发。 U型DIMM是 “SCQ04GU03AF1C-21P”， “SCQ04GE03AF1C-21P”，SO-DIMM在2个模型“SCQ04GS03AF1C-21P”，“SCQ08GS13AF1C-21P”。 集微网消息，紫光国芯1月23日在全景网投资者互动平台上回答投资者提问时介绍，DDR4与DDR3相比，单条容量有很大提高，可以实现较高的容量。另外，频率和带宽都有明显提高。工艺的提高也会降低工作电压，有利于更低的功耗。 同时，关于公司在国内业界、排名情况，紫光国芯介绍，公司的DRAM芯片设计技术处于世界先进水平，国内稀缺，但目前产品产量很小，市场份额不大。 |
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