晶丰明源、昂宝、矽力杰与茂捷半导体兼容型号

晶丰明源、昂宝、矽力杰与茂捷半导体兼容型号、BP3319M-被茂捷M8900替代晶丰明源兼容型号

M8900兼容 BP3319M

PSR+PFC,外置MOS，驱动性更强，PF>0.9,内置LED短路和开路保护，高效率，隔离式

M8911 兼容 BP3315D 、M8911A 兼容 BP3315D 、M8912 兼容BP3316D 

PSR+PFC,内置MOS，高PFC值，PSR系列，省光耦和431，节省成本空间，安全性高。

M8915 兼容BP2325A、M8916兼容BP2326A、M8918兼容BP2328A 

非隔离+高PF+内置MOS，有源功率因数校正，高PF值，低 THD ，效率高，多重保护功能以加强系统可靠性，包括开路保护、短路保护、芯片供电欠压保护等。变压器体积大大缩小，无输出的整流滤波等器件，减少成本。

M8919兼容BP2329A

BUCK架构，非隔离+外置MOS，与PSR相比，它的PFC值较高，效率较高，变压器体积大大缩小，无输出的整流滤波等器件，减少成本，但非隔离的是热地，安全性相对较低。

M8831兼容BP2831A、M8832兼容BP2832A、M8833兼容BP2833D、M8836兼容BP2836D

非隔离+内置MOS+单绕组，降压型恒流驱动，多重保护功能以加强系统可靠性，包括开路保护、 短路保护、欠压保护等 无需辅助绕组检测和供电，只需要很少的外围元 件，即可实现优异的恒流特性，极大的节约了系统成本和体积。 

昂宝兼容型号

M5573兼容OB2263,OB2273、M5576兼容OB2269(管脚不容）

SSR+外置MOS管，各种保护功能，待机功耗<100mW,抖频功能,65KHz,高性能PWM控制器,过温保护，欠压保护，高性能PWM控制。SSR电压电流精度高, M5576最大待机功耗〔100mW〕高效率:〔24V5A平均效率>89%〕，轻载，空载无异响声

M5358兼容OB2358

低待机功耗,抖频功能,50KHz,各种保护功能，高性能PWM控制器,SSR性能稳定，动态响应好，输出电压精度高，适用于对电压精度要求高的应用领域

M5832兼容OB2532

PSR+外置MOS，各种保护功能，PSR成本低，节省PCB板上空间，省掉光耦和431,节省成本

M5835兼容OB2535、M5836兼容OB2536、M5838兼容OB2538

PSR内置MOS有线补功能，各种保护功能，PSR成本低，节省PCB板上空间，省掉光耦和431,节省成本

矽力杰兼容型号

M8900兼容SY5800(管脚不容）,SY5840(管脚不容），M8910兼容SY5810,SY5820，SY5830

PSR+PFC,外置MOS，驱动性更强，PF>0.9,内置LED短路和开路保护，高效率，隔离式

M8914兼容SY5814,SY5824

BUCK架构，非隔离+外置MOS，与PSR相比，它的PFC值较高，效率较高，变压器体积大大缩小，无输出的整流滤波等器件，减少成本，但非隔离的是热地，安全性相对较低。

M8900

概述：

M8900是一款原边反馈、带单级有源PFC高精度的LED恒流控制芯片，M8900集成了单级有源PFC线路，可实现较高的功率因素和很低的总谐波失真，芯片可以进入准谐振模式，从而实现较高的效率和降低的开关损耗。M8900内置了多重保护功能来保证系统的可靠性，包含LED开路保护、芯片过压保护和UVLO欠压保护、LED短路保护、逐周期限流等。

特点：                                                       应用：

■原边反馈省去光耦和TL431等器件                           ■LED筒灯、射灯

■单级有源功率因素校正PF>0.9                              ■LED平板灯、天花灯

■高精度的LED恒流输出                                  ■LED T8灯管、T5灯管

■超低启动电流10uA（TPY）                                ■LED PAR30、PAR38灯

■谷开关技术、较低MOS管的开关损耗    

■LED短路和LED开路保护                                                                                             

■优异的线电压调整率和负载调整率

■采用SOP8封装

典型应用： 

管脚信息： 

管脚描述：

管脚名称	管脚号	管脚描述
COMP	1	环路补偿
INV	2	反馈信号采样、电流过零检测、当VINV高于1.5V，IC过压保护启动
SEN	3	电流采样，接采样电阻
NC	4、7	悬空
DRV	5	外部功率MOS管栅极驱动脚
VDD	6	芯片供电脚、LED开路检测、VDD过压保护
GND	8	接地（原边IC接地和功率地线）

产品包装信息：

型号	封装	包装形式	丝印打字
M8900	SOP-8	编带2.5K/盘

芯片使用时极限参数：

符号	参数	最大值	单位
VDD、VDRV	芯片供电电压，VDRV脚电压	18	伏(V)
VINV	反馈信号采样脚电压	VDD+0.3	伏(V)
SEN、COMP	VSEN,VCOMP脚电压	3.6	伏(V)
PDMAX  SOP-8	功耗	1.1	瓦(W)
结点温度	TJ	125	摄氏度(℃)
贮藏温度	TSTG	-25至150	摄氏度(℃)

推荐使用工作范围：

符号	参数	最大值	单位
VDD、VDRV	芯片供电电压，VDRV脚电压	16	伏(V)
VINV	反馈信号采样脚电压	VDD+0.3	伏(V)
SEN、COMP	VSEN,VCOMP脚电压	3.3	伏(V)
结点温度	TJ	-25℃至125℃	摄氏度(℃)
环境温度范围	TA	-25至85	摄氏度(℃)

注1：芯片超过了最大指定值，有可能造成芯片损坏，请严格按照推荐的参数范围使用，对于未给定上下限值的参数，此规范不予保证其精度，典型值合理的反映了器件的性能。

注2：温度升高最大功耗一定会减小，这是由TJMAX，θJA和环境温度TA所决定。

芯片内部结构框图：

 电气参数：

无特别说明情况下，VDD=12V，TA=25℃

参数描述	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
输入电压范围	VDD		8.5		18	V
启动电流	Istart			10		uA
工作电流	Iin				10	mA
	VSEN			0.5		V
DRV脚驱动输出峰值电流	Isource			1		A
	Isink			2		A
VDD过压保护阈值	VDD_OVP				19	V
VDD欠压保护阈值	VDD_UVLO		7.5			V
最大工作频率	fMAX				100	KHz
最大导通时间	Ton_MAX	Vcomp=1.5V		27		us
最大关断时间	Toff_MAX			33		us
最小导通时间	Ton_MIN		240	400		ns
过零检测	Isink				1	mA
	Isource				1	mA
过压保护阈值	FB引脚Vovp			1.5		V
内部电压基准	Vref			0.3		V

应用信息：

M8900是一款原边反馈、单级有源PFC LED恒流控制芯片，工作在电感电流临界连续模式，芯片可以实现很高的功率因素和较高的效率。

VDD引脚使用注意事项：

VDD为IC供电脚。当IC初始启动时需要原边高压侧供电，启动后为辅助绕组供电。初始启动时，因为原边高压侧供电，故调整启动电阻值，可以改变启动时间；如果在低压情况下启动不了，也可以减小启动电阻得以改善。启动后辅助绕组供电建议设置辅助绕组为11V来供电。不宜太高，建议低于12V。若采用11V，则辅助绕组匝数Naux= Ns*11/(Vout+VDF)，VDF为输出二极管压降，Ns为副边匝数。

COMP脚使用注意事项：

COMP脚为补偿脚，此脚对地接法如下图4所示：

COMP脚对GND所接的补偿值的大小对IC工作较为重要。在高压220VAC或者更高时，需要PF>0.9时，增大C6的容值1uF~2.2uF,即可。（如果M8900实际测试的时候，PF值在0.8以下的，大都是变压器或者其它设计问题，改变这个电容是改善不了的）,PCB布板的时候，如果有空间足够的话，可以把C加上，大概在100pF~0.1uF，该电容可起到滤除高频噪声的作用。

图4

 

SEN和DRV脚使用注意事项：

SEN脚为电流检测脚，此脚引线直接连接到原边MOS管的源级（不能串接电阻），输出电流Iout=0.05*n/Rsen，n为原副边匝比比值，Rsen为采样电阻阻值。走线要尽量粗且短。DRV为MOS管栅极驱动脚。在DRV脚和MOS管G极(栅极)之间连接一驱动电阻R，是为了改变MOS管开通及关断速度，R通常取值10Ω或20Ω。MOS管栅极对地要接一个R1为10K电阻，是为了当IC停止工作时，让栅源级间电容的电荷通过此电阻R1放掉，以防止MOS管栅级悬空后误动作。在某些场合对EMI要求比较高的情况下，可加大驱动电阻R ，减小开关速度，改善EMI。

INV脚使用注意事项：

INV脚的电压高于1.5V 700nS的时候，IC将进入过压保护，首先确定好输出Vo/Vp值，根据下面的公式  

计算出正常工作时INV脚的电压VINV:                        

Vaux为辅助绕组输出电压，为IC供电，即VDD，