我国科学家开创第三类存储技术 写入速度万倍提升(股)

近日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，写入速度比目前U盘快一万倍，数据存储时间也可自行决定。这解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。

新的存储技术写入速度比目前U盘快10000倍，数据刷新时间是内存技术的156倍，并且拥有卓越的调控性，这种全新特性不仅在高速内存中可以极大降低存储功耗，还可以实现数据有效期截止后自然消失，在特殊应用场景解决了保密性和传输的矛盾。

相关受益股：

丹邦科技：经营范围新纳入二维半导体材料，并将其作为重要研发方向。公司表示，新型二维半导体材料可以让计算机和智能手机运行速度100倍提升。

中颖电子：独董曾晓洋先生为复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室副主任，复旦大学微电子学系副主任。