IGBT基本特性包括静态特性和动态特性,其中静态特性由输出特性和转移特性组成,动态特性描述IGBT器件开关过程。 (1)IGBT的基本特性 ① 输出特性IC-UCE。输出特性如图11-4所示,反映集电极电流IC与集电极-发射极之间电压UCE的关系,参变量为栅极和发射极之间驱动电压UGE,由饱和区、放大区、截止区组成。 ② 转移特性IC-UGE。反映集电极电流IC与栅极-发射极之间驱动电压UGE的关系。 ③ 动态特性。动态特性即开关特性,反映IGBT器件开关过程及开关时间参数,包括导通过程、导通、关断过程、截止四种状态。其中UGE是栅射极驱动电压,UCE是集射极电压,IC是集电极电流,ton是导通时间,toff是关断时间。 (2)IGBT的主要参数 ① 最大集电极电流ICM:表征IGBT的电流容量,分为直流条件下的IC和1ms脉冲条件下的ICP。 ② 集电极-发射极最高电压UCES:表征IGBT集电极-发射极的耐压能力。目前IGBT耐压等级有600V、1000V、1200V、1400V、1700V、3300V。 ③ 栅极-发射极击穿电压UGEM:表征IGBT栅极-发射极之间能承受的最高电压,其值一般为±20V。 ④ 栅极-发射极开启电压UGE(th):指IGBT器件在一定的集电极-发射极电压UCE下,流过一定的集电极电流IC时的最小开栅电压。当栅源电压等于开启电压UGE(th)时,IGBT开始导通。 ⑤ 输入电容cIES:指IGBT在一定的集电极-发射极电压UCE和栅极-发射极电压UGE=0下,栅极-发射极之间的电容,表征栅极驱动瞬态电流特征。 ⑥ 集电极最大功耗PCM:表征IGBT最大允许功能。 ⑦ 开关时间:它包括导通时间ton和关系时间toff。导通时间ton又包含导通延迟时间td和上升时间tr。关断时间toff又包含关断延迟时间td和下降时间tf。 提示:新型IGBT的最高工作频率fr已超过150kHz、最高反压UCBS≥1700V、最大电流ICM已达800A、最大功率PCM达3000W、导通时间ton<50ns。 以上便是电路板维修培训学校为大家分享的IGBT的特性和参数,希望能对大家开展电路板维修工作有所帮助。欢迎大家就电路板维修技术相关问题与我们电路板维修培训学校进行交流,我们将竭诚为您提供最好的电路板维修培训课程。 |
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