N沟道型 MOS管开关电路

一、MOS管开关电路如下：

二、电路说明：

其中，PWM信号为50HZ方波信号，占空比0.5.

HV电压值为406.5V，负载接40W灯泡。

三、发现问题：

现在测试负载两端的波形，理想情况下是高电平400V左右，考虑到MOS管内阻 1.5欧姆左右（这款的VDS电压较大，mos管内阻也较大，一般mos管是毫欧级别），低电平为0。

但是实际测出来有偏差，如下：

最高值只有256V，而且一直在跳动。

查了电路应该没问题啊，不知道问题出在哪里，后来继续翻看P5NK60Z 芯片的技术参数PDF文档，看到如下图：

横坐标是VGS电压  纵坐标是ID电流大小 。此图反映的是在施加25V 漏源极电压时候的技术参数图。显然可以看出，此时如果VGS为5V时， ID并没有达到最大状态 也就是不能实现mos管的饱和导通状态，如果没有饱和导通，则MOS管的内阻会相对较大（可以理解为D、S两点之间的阻值），由于分压的作用 D、S间的电压。 如图箭头所示，这两点之间的电压会增大，这就会直接导致负载两端电压被拉低。

所以总结起原因，就是，光耦控制电压，直接输送到门极的电压 5V驱动电压实在是给得太低了，MOS没有饱和导通，根据P5NK60Z芯片资料，这里应该将5V改为10才能保证mos管饱和导通，满足负载电压要求。