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三星推出全球首款10nm工艺LPDDR5内存,速度每秒破100GB

 张問骅 2018-07-18

(电脑报全媒体)随着各种AI、5G技术越来越贴近消费者,各种终端对于芯片的要求是越来越高,近日,三星宣布推出新一代基于10nm级(10~20nm)工艺的LPDDR5内存颗粒,最早第三季度发布。这是业内的首款内存规格为LPDDR5芯片,据悉该芯片单颗容8Gb(1GB),8GB容量的模组原型也做出并完成功能验证,内存速度(针脚带宽)最高6400Mbps。





在目前的手机市场上,旗舰机采用的都是内存规格为LPDDR4X,包括iPhone X、三星S9系列以及国内市场的小米8、一加6等都是采用的该类内存。根据三星官方称,LPDDR5的速度是LPDDR4X 4266Mbps的1.5倍,每秒可以传送51.2GB数据(比如高端手机常见的64bit bus),相当于14部1080P电影(每部3.7GB),如果要是PC的128bit BUS,每秒破100GB无压力。


与此同时,功耗比LPDDR4X降低高达30%,主要是得益于动态调节电压、避免无效消耗、深度睡眠等技术加入。1.1V工作电压下可达6400Mbps,1.05V下可达5500Mbps。这是一款超高速、低功耗(LP)内存,特别适合5G和人工智能(AI)驱动的移动应用。可供手机、车载平台自行选择。



根据资料显示,三星在2014年首先成功量产8Gb LPDDR4内存芯片,之后,就开始推进向LPDDR5新标准的过渡。新的8Gb LPDDR5内存芯片是三星高端DRAM产品线的一部分,后者已经包括10nm级的16Gb GDDR6显存芯片(2017年12月量产)和16Gb DDR5内存芯片(今年2月份开发完成)。


三星表示,它在韩国平泽的工厂将开始批量生产LPDDR5、DDR5和GDDR6类型的下一代内存,为手机、PC、显卡厂商提供服务。目前正计划根据客户需求开始大规模生产,英伟达的11系列新显卡,或许就会用上GDDR6显存。





在新一代的内存方面,三星10nm工艺拥有绝对的技术优势,而芯片巨头Intel此前就表示,2019年底10nm工艺都不会量产,这意味着2020年之前英特尔的处理器还都是14nm工艺。三星对于整个行业依然有着相当的控制力,当然在行业中一家独大并不是什么好事情。


目前国内的存储芯片几乎全部依赖进口,特别是此前的“中兴事件”给了我们沉重的思考。与三星、美光、SK Hynix相比,国内公司在DRAM内存芯片生产上依然是0,还处于研发阶段。紫光旗下的西安紫光国芯虽然有DDR3、DDR4内存颗粒生产,不过技术来源还是已经破产的奇梦达,距离大规模量产依然有很长的路要走。





不过,也不是一点进展都没有,国产芯片公司合肥长鑫已经投产8Gb LPDDR4芯片,预计于2018年年底推出8Gb DDR4工程样品,2019年三季度推出8Gb LPDDR4,到2019年年底,产能将达到2万片一个月,这也是国产DRAM产业的一个里程碑。


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