作者:Gu Liqun, Chen Qiang, Li Juanjuan, Chen Zhengrong, Zhou Jianwei , Du maohua, Myungkee Chung,Samsung Semiconductor(China) R&D Co., Ltd 尽管倒装芯片和一些其他的3D封装发展迅猛,线键合仍是IC封装中最常用的互连手段。作为线键合产业中主要的装配材料,金线因其高导电率和极佳的可焊性长期以来一直用于存储器件中。但Au的价格是10年前的5倍以上(图1)。
本文给出了镀Pa铜线(表面强化的铜线)和Ag合金线的研究结果。在存储器件上比较了可键合性。在可靠性评估中,主要用uHAST(85%RH,130℃)和HTS(150℃)测试。依据可靠性失效情况,调整Ag合金线的组分。 实验步骤 第二部分中,重点是Ag合金线的可靠性性能,特别是uHAST(85%RH,130℃)和HTS(150℃)测试。用FIB、TEM和EDS检查Ag-Al界面和IMC特性。在最后一部分中,调整Ag合金线的成分提高可靠性性能。 结果
(A)球键合能力 此外,由于二种线的硬度均比Au线高,焊盘损伤应是此评估中的主要风险点。键合后的焊盘界面用KOH腐蚀。比较结果见表4。在键合参数窗口内,所有Ag合金线的焊盘是平滑而完整的。不过,在Cu线的焊盘观测到弧坑问题,见表4。 (B)针脚式接合性(stitch bondability) (C)测试良率比较
可靠性测试后,用TEM、FIB和SEM检查界面性能。图7中,uHAST 240小时样品失效用FIB和TEM分析。失效焊球的截面示于图7(a),其中检测到不连续不平坦IMC。图7(b)是Ag-Al IMC的TEM放大图像。 图7(b)中观察到连续裂缝,位于IMC和Ag键合球之间界面处(区域5)。也能观察到明显的空洞,如区域4所示。可以认为,连续裂缝和空洞是电性能蜕化的直接原因。 观测到氧和铝是区域3中的主要成分,猜想其中是氧化铝。没能检测到银的氧化。反而在区域2观测到Ag晶粒。
表10给出了3种Ag合金线的可靠性结果。与A型比较,B和C型的性能较好。Pd含量中等的B型线尽管在uHAST 480小时内发现失效,但通过了uHAST 240小时及HTS1000小时测试。而C型线的性能最好,它通过了uHAST 480小时、HTS1000小时及TC1000个循环测试。 C型线经uHAST 480小时后的截面也用SEM检查,见图9,其中所有的IMC是连续而平滑的。而且,在这样的样品中没有发现明显的裂缝或空洞,特别是在IMC与Ag焊球间的界面上。所以,与A和B型比较,C型线是可靠性测试中性能最好的,特别是在uHAST测试中。 从实验和TMC分析定性可以认为,增加Pd能抑制在Ag-Al界面上的扩散。较低的扩散能抑制它们之间的电偶腐蚀,Ag-Al IMC将受到保护。所以,增加Ag合金线中的Pd能延长可靠性测试中Ag-Al键合系的寿命。 结论 还在这种存储器件上检验了Ag合金线的可靠性性能,特别是uHAST(85%RH,130℃)和HTS(150℃)测试。估计IMC氧化和裂缝是可靠性蜕化的根源,而这是由Ag-Al电偶腐蚀引起的。提高可靠性结果表明,增加Pd含量能抑制界面腐蚀。改进的Ag线能通过uHAST 480小时和HTS1000小时测试。 根据本研究结果,由于无法避免的焊盘弧坑问题,镀Pd Cu线不能用在这种存储器件上,但使用Ag合金线时则有良好性能。作为低成本引线,建议以Ag键合线替代Cu线用于存储器件的Al焊盘上。 封装技术千人群 1.仅限封测人员,不重复加群 2.先加群主,验证后邀请加入 3.需要注明:单位+岗位/方向 学习,交流,分享IC封测技术,包括但不限于设计,仿真,工艺,可靠性...业界主要IC,封测,载板厂商都已到齐.已加入厂商(部分): 长电、华天、通富、晶方、芯健......越亚、深南、兴森、康源…… 华为、中兴、展讯、联芯、全志、联想、国科、芯源、灿芯、锐迪科、瑞芯微、景嘉微、汉天下、新岸线、国民技术…… ASE, Amkor, PTI, SPIL, UTAC, STATS ChipPAC, Unisem, Sandisk, Shunsin, Qorvo, Micron, Ramaxel, MTK, Synaptics, Goodix, Intel, AMD…...Ansys, Keysight, Cadence…… |
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