BS3500N半导体放电管

通信应用从语音电话快速向高速宽频设备过度，传统56KMODEM和ADSL带宽不能满足未来的传输要求，因此VDSL正在逐步推广使用。

　　VDSL的的传输30Mbps以上。因此对雷击防护器件的结电容提出了更高的要求；同时其变压器的变比由ADSL的4：1变成了VDSL的1：1左右，所以VDSL雷击耦合到次级的能量比ADSL的大了很多，导致后级被保护电路容易损坏。因此就要求前级防护器件具有很快的反应速度即低残压。

　　传统的半导体放电管因为结电容高已不再适合用于电话口保护，而气体放电管的电容虽然低，但其反应速度慢，残压高达800-1000V，不利于二次侧的防护。因此，浪拓电子针对应用越来越广泛的ADSL、VDSL防护，推出了一款价格适中，性能优越，雷击能力10/700υS 1.5KV以上，同时通过UL497B认证的超低结电容半导体放电管。

一、VDSL端口防护方案

 

 

 

　　二、技术参数

　　BS3500N(K)是浪拓电子专门为高速接入设备如VDSL等防护开关发的一款超低结电容产品，这款产品能够满足ITU-T K20/K21差模雷击基本型1.5KV的测试标准，同时＜10pF的结电容也完全可以满足VDSL的传输要求。

 

 

型号	断态电压		转折电压		通态压降		维持电流	极间电容	封装形式
	VDRM V	IDRM μA	VS V	IS mA	VT V	IT A	IH mA	CO pF
		MAX	MAX		MAX		MIN	MAX
BS3500K	340	5	490	800	4	1	100	10	DO-41
BS3500N	340	5	490	800	4	1	100	10	SMB

 

　　三、超低结电容

　　传统半导体放电管结电容都比较高，如果需要做低结电容的产品，必须采用多芯串联的方式进行，但这种方式存在工艺复杂，可靠性低及成本高等缺点，一直无法批量生产。

　　而浪拓电子推出的超低结电容BS3500N(K)，采用了深度埋层扩散的工艺，大幅度降低单个芯片的结电容到10pF以内，完全可以满足VDSL的应用。

 

　　四、雷击能力

　　传统芯片只能满足ITU-TK20/TK21 1.5KV雷击测试标准，而低结电容BS3500N(K)不但能把电容降到常规的40%，而且还大幅度提高耐雷击能力到10/700υS 40ohm 2KV。

 

　　五、满足电力线接触试验

　　在IIU-TK20/K21中要求通讯终端设备能过电力线感应试验和电力线碰触试验，其中电力线碰触试验的标准为：
　　Ua.c=230V;t=1.0~900.0S;
　　限流电阻R=10，20，40，80，160，300，600，1000欧姆。
　　为保证在电力碰触时，半导体放电管不动作，因此所选用半导体放电管的最小断态电压VDSL必须大于Ua.c的峰值电压，即：VDRM*√2=325V而BS3500N(K)的VDRM为340V，完全可以满足电力线碰触实验的要求。