晶体外部的电容包含在振荡器电路的反馈回路中。对于“并联”谐振晶体（有关并联与串联谐振晶体的讨论，请参见下文），负载电容值需要由客户指定，以确保初始频率容差。对于“串联”谐振晶体，不使用负载电容。负载电容可以测量为PCB上晶体端子上的电容量。并联谐振模式晶体需要在订购时指定负载电容（CL）（这已在上面说过）。给定电路的近似晶体负载可以从公式确定（对于更有用的公式，请参见下面的内容）：
CS是电路的杂散电容和晶体1（C1）和晶体2（C2）引脚上的反相器或微处理器芯片的输入/输出电容，以及任何寄生电容。可以假设CS等于5pF。大多数晶体制造商将指定18或20 pF的标准并联谐振负载电容。已发现这些值在大多数电路中提供良好的频率容差。负载电容的变化将导致输出频率的变化。。 系列与并行： 并联谐振晶体用于在振荡器反馈环路中包含无功分量（电容）的电路。这些电路取决于无功元件和晶体，以实现在特定频率下启动和维持振荡所需的相移。串联谐振晶体适用于振荡器反馈环路中不含无功元件的电路。请参见图A中的系列和图B中的并联谐振晶体：
有用的方程：
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f =
