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三极管的正偏与反偏：给PN结加的电压和PN结的允许电流方向一致的叫正偏，否则就是反偏。即当P区电位高于N区电位时就是正偏，反之就是反偏。例如NPN型三极管，位于放大区时，Uc>Ub集电极反偏，Ub>Ue发射极正偏。总之，当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时，则为正偏，反之为反偏。 NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。NPN是用B一E的电流（IB）控制C一E的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即VC>VB>VE。PNP是用E-B的电流（IB）控制E-C的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即VC<><> 三极管的三种工作状态 1.放大区 发射结正偏，集电结反偏。对于NPN管来说，发射极正偏即基极电压Ub〉发射极电压Ue，集电结反偏就是集电极电压Uc>基极电压b。放大条件：NPN管：Uc>Ub>Ue；PNP管：Ue>Ub>Uc。 2.饱和区 发射结正偏、集电结正偏BE、CE两PN结均正偏。即饱和导通条件：NPN管：Ub>Ue，Ub>Uc，PNP型管：Ue>Ub，Uc>Ub。饱合状态特征是：三极管的电流Ib、Ic都很大，但管压Uce却很小，Uce~0。这时三极管的c、e极相当于短路，可看成是一个开关的闭合。饱和压降，一般在估算小功率管时，对硅管可取0.3V，对储管取0.1V。此时的，iC几乎仅决定于Ib，而与Uce无关，表现出Ib对Ic的控制作用。 3.截止区 发射结反偏，集电结反偏。由于两个PN结都反偏，使三极管的电流很小，Ib~0，Ic～0，而管压降Uce却很大。这时的三极管c、e极相当于开路，可以看成是一个开关的断开。 三极管三种工作区的电压测量 如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和，放大，截止状态，用电压表测基极与射极间的电压Ube。 饱和状态eb有正偏压约0.65V左右，ce电压接近0V。 放大状态eb有正偏压约0.6V，ce电压大于0.6V小于电源电压。 截止状态eb电压低于0.6V，ce电压等于或接近电源。 在实际工作中，可用测量BJT各极间电压来判断它的工作状态。NPN型硅管的典型数据是：饱和状态Ube=0.7V，Uce=0.3V；放大区Ube=0.7V；截止区Ube=0V。这是对可靠截止而言，实际上Ube<> 1.截止区 就是三极管在工作时，集电极电流始终为0。此时，集电极与发射极间电压接近电源电压。对于NPN型硅三极管来说，当Ube在0~0.5V之间时，Ib很小，无论Ib怎样变化，Ic都为0。此时，三极管的内阻（Rce）很大，三极管截止。当在维修过程中，测得Ube低于0.5V或Uce接近电源电压时，就可知道三极管处在截止状态。 2.放大区 当Ube在0.5~0.7V之间时，Ube的微小变化就能引起Ib的较大变化，Ib随Ube基本呈线性变化，从而引起Ic的较大变化（Ic=βIb）。这时三极管处于放大状态，集电极与发射极间电阻（Rce）随Ube可变。在维修过程中，测得Ube在0.5~0.7V之间时，就可知道三极管处在放大状态饱和区：三极管的基极电流（Ib）达到某一值后，三极管的基极电流无论怎样变化，集电极电流都不再增大，一直处于最大值，这时三极管就处于饱和状态。三极管的饱和状态是以三极管集电极电流来表示的，但测量三极管的电流很不方便，可以通过测量三极管的电压Ube及Uce来判断三极管是否进入饱和状态。当Ube略大于0.7V后，无论Ube怎样变化，三极管的Ic将不能再增大。此时三极管内阻（Rce）很小，Uce低于0.1V，这种状态称为饱和。三极管在饱和时的Uce称为饱和压降。当在维修过程中测量到Ube在0.7V左右、而Uce低于0.1V时，就可知道三极管处在饱和状态。 3.饱和区 Ube>Uon且Uce。 以上就是小编给大家介绍的三极管的三种工作状态及三种工作区的电压测量，希望大家读了这篇文章，能给大家带来知识，大家能更加了解三极管。 |
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