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作者：赵锐 来源：中国科大微电子学院 阅日期：2018-12-15 为了响应国家大力发展半导体微电子行业的号召，激发我校学生对于学习集成电路的学习热情，了解学习半导体微电子相关专业的前沿领域和基础知识，5月17日下午，应北京兆易创新科技股份有限公公司邀请，在IEEE固态电路协会中国科大学生分会和中科大微纳电子系统集成研究中心的组织下，我校微电子集成电路相关专业的研究生和本科生40余位同学组成代表团，来到合肥集成电路科技馆参加科技馆的开业典礼仪式暨胡正明院士报告会。
活动的第一部分是集体参加胡正明教授的讲座，胡教授在讲座中详细讲述了自己带领团队发明FinFet的经历，并指出了基于FinFet结构近年来更新的半导体工艺结构，并指出半导体工艺还有着更大的发展空间。讲座间隙，胡教授还与我校同学们热情互动，他鼓励同学们坚定信念，努力学习，中科大是国家尖端微电子科学的重要科研和人才培养基地，国家尖端微电子集成电路事业必将在同学们的奋斗下迎来新一轮发展高潮。
活动的第二部分是参观集成电路科技馆，在解说员的精彩解说下，同学们领略了中国五千年来通信方式的变化，了解了半导体器件 和电路的生产过程，深刻体会到了当今时代对于半导体行业发展的迫切需求。
经过这次活动，同学们对半导体集成电路发展历程及其前沿方向都有了深刻的了解和学习，相信这次活动将会激励科大人对于半导体行业的学习热情，为祖国的芯片事业的富强和世界半导体行业的繁荣做出贡献！ 本次活动由北京兆易创新科技股份有限公公司、合肥格易集成电路有限公司、合肥“兆易集成电路科技馆”主办。中科大学生代表团由IEEE固态电路协会中国科大学生分会 (IEEE USTC-SSCS Student Chapter)和微纳电子系统集成研究中心 (USTC MESIC)组织并全程协助参加本次活动。 主讲人介绍： 胡正明（Chenming Hu）教授，微电子科学家。1947年7月出生于中国北京。1973年获得美国加州大学伯克利分校博士学位。现任美国加州大学伯克利分校杰出讲座教授、美国工程科学院院士、中国科学院外籍院士、前TSMC技术总裁，IEEE Fellow、美国国家技术和创新奖获得者、美国国家科学奖章获得者（奥巴马总统亲自为胡院士颁奖）。 胡正明教授是微电子微型化物理及可靠性物理研究的一位重要开拓者，对半导体器件的开发及未来的微型化做出了重大贡献。胡院士的主要成就为领导研究出BSIM，从实际MOSFET晶体管的复杂物理推演出数学模型，该数学模型于1997年被国际上38家大公司参与的晶体管模型理事会选为设计芯片的第一个且唯一的国际标准；发明了在国际上极受注目的FinFET等多种新结构器件；对微电子器件可靠性物理研究贡献突出；首先提出热电子失效的物理机制，开发出碰撞电离电流快速预测器件寿命的方法，并且提出薄氧化层失效的物理机制和用高电压快速预测薄氧化层寿命的方法。首创了在器件可靠性物理的基础上的IC可靠性的计算机数值模拟工具。 |
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