1.双向可控硅等效结构 2.双向可控硅等效结构
3.双向可控硅等效结构 T2 接电源Vt21 正极,T1 接通电源Vt21负 负, 此时当G 极接Vg+ 为正电压, Q4、 、Q5 、Q6 、Q7 处于反向截止,Q1 的B极 极和 和E 极之间无正偏压也处于截止状态,Vg+ 由P2 输入后经R3 使Q2 的B 极和E极 极之间产生正偏电压而导通,从而促使Q3导通,这时即使撤出Vg+ ,在电容C1的 的的作用下,Q2 、Q3 也仍然能处于导通状态,只有当Vt21 先反向或撤除才重回截止。当G 极接Vg 为负,Q4 、Q5 、Q6、 、Q7 同样处于反向截止状态,Q1 的B 极和E 极之间因Vg 产生正偏电压而导通,从而使Q3 、Q2 导通并得以保持导通状态。 T1 接电源Vt12 正极,T2 接通负电源Vt12 的负极, 此时G 极接Vg 为正, Q1因 因B 极和E 极之间处于反向偏压而截止,Q3 处于反向截止,Q2 因B 极和E 极之间处于正向偏压导通而导致Q4 、Q7 的导通,从而Q6 、Q7 导通并保持导通状态,只有当 当Vt12 先反向或撤除才重回截止。当G极接Vg 为负,Q1 、Q2 、Q3 和Q4 处于反向截止, Q5 的B 极和E 极之间因Vg 而处于正偏导通,从而使Q6 导通,继而Q7、 、Q6 导通并得以保持导通状态。
5.双向可控硅触发命名 6.双向可控硅平面和纵向结构
7.双向可控硅I-V曲线 8.双向可控硅优缺点
优点: 9.双向可控硅误导通
(a )电子噪声引发门极信号在电子噪声充斥的环境中,若干扰电压超过VGT,并有足够的门极电流,就会发生假触发,导致双向可控硅切换。 10.三象限( 无缓冲)双向可控硅
1. 3Q 双向可控硅具有和4Q 双向可控硅不同的内部结构,它在门极没有临界的重叠结构。
3Q 双向可控硅的好处: 11.双向可控硅
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