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布里斯托尔大学的研究人员成功地证明了一种新材料的高导热性，为更安全、更高效的电子设备（包括手机、雷达甚至电动汽车）铺平了道路。  由美国设备热成像与可靠性中心（CDTR）的马丁·库波尔（Martin Kuball）教授领导的研究小组发现，通过制造一种超纯的氮化硼，可以首次证明其热导率潜力，其550W/mk的导热能力是铜的两倍。这篇论文发表于《通信物理学》。 库波尔教授解释说:“大多数半导体电子产品在使用时都会发热。温度越高，它们的降解速度就越快，性能也就越差。随着我们越来越依赖电子设备，寻找能够提取废热的高导热材料变得越来越重要。” “氮化硼就是这样一种材料，据预测其导热系数为550 W/mK，是铜的两倍。然而，迄今为止的所有测量结果似乎都表明，它的导热系数要低得多。令人兴奋的是，通过使这种材料‘超纯净’，我们首次证明了它具有很高的导热潜力。” 库波尔教授说，下一步是开始用氮化硼制造有源电子器件，并将其与其他半导体材料集成。“为了证明超纯氮化硼的潜力，我们现在有了一种材料，可以在不久的将来用于制造高性能、高能效的电子产品。” “这一发现意义重大。当然，随着我们对手机的使用和电动汽车的采用，我们对电子产品的依赖只会增加。使用更高效的材料，如氮化硼，来满足这些需求，将会带来更好的手机通讯网络性能，更安全的交通，最终减少发电站。” |
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