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01、光刻：--尺度：晶圆级（300毫米/12英寸） 光刻胶层随后被曝光在紫外线(UV)之下，期间发生的化学反应类似按下机械相机快门那一刻胶片的变化，光刻胶经过紫外线曝光后会变得可溶解。整个曝光是通过起模板作用的掩模（Mask）完成的。掩模上印着预先设计好的电路图案，紫外线透过它照在光刻胶层上，形成微处理器的每一层电路图案。图中间的透镜起缩小掩模图案的作用，使得在晶圆上得到的电路图案长度上是掩模的四分之一。
02、光刻：--尺度：晶体管级别（50-200纳米） 一块晶圆上可以切割出数百个处理器，不过从这里开始把视野缩小到其中一个上，展示如何制作晶体管等部件。晶体管相当于开关，控制着电脑芯片里的电流方向。现在的晶体管已经如此之小，一个针头上就能放下大约3000万个。
03、溶解光刻胶：--尺度：晶体管级别（50-200纳米） 曝光过的光刻胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致。
04、蚀刻：--尺度：晶体管级别（50-200纳米） 使用化学物质溶解掉暴露出来的晶圆部分，而剩下的光刻胶保护着不应该蚀刻的部分。
05、清除光刻胶：--尺度：晶体管级别（50-200纳米） 蚀刻完成后，光刻胶会被全部清除，然后就可以看到设计好的电路图案。
06、涂光刻胶：--尺度：晶体管级别（50-200纳米） 再次浇上光刻胶(蓝色部分)，然后再次用紫外线光刻。在下道工序（离子注入）前洗掉曝光的光刻胶，剩下的光刻胶还是用来保护不被离子注入的那部分材料。
07、离子注入(Ion Implantation)：--尺度：晶体管级别（50-200纳米） 通过离子注入工序（即参杂工序的一种形式），硅片上暴露的部分用经过加速的、要掺杂的原子的离子照射，从而在被注入的区域形成特殊的注入层，并改变这些区域的硅的导电性。经过电场加速后，注入的离子流的速度可以超过30万千米每小时。
08、清除光刻胶：--尺度：晶体管级别（50-200纳米） 离子注入完成后，光刻胶也被清除，而注入区域(绿色部分)也已掺杂，注入了不同的原子（注意这时候的绿色和之前已经有所不同）。
09、晶体管完成：--尺度：晶体管级别（50-200纳米） 至此，晶体管已经基本完成。在晶体管上面的绝缘材(品红色)上蚀刻出三个孔洞，并填充铜，以便和其它晶体管互连。
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