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芯片里的晶体管用肉眼看不到，只能用高倍电子显微镜放大10万倍才能看到，里面的结构就像一栋房子一样。 芯片里Mos管经过放大后的结构类型Mos管在芯片中放大可以看到像一个“讲台”的三维结构，最上面的一层是一个低电阻的电极，通过绝缘体与下面的平台隔开，它一般是采用了P型或N型的多晶硅用作栅极的原材料，下面的绝缘体就是二氧化硅。平台的两侧通过加入杂质就是源极和漏极，它们的位置可以互换，两者之间的距离就是沟道，就是这个距离决定了芯片的特性。
芯片里三栅极晶体管的结构类型三栅极晶体管很薄，只有8nm左右，离栅极很近，可以有效控制漏电，它的结构要更复杂一点，类似于一个平台上面有一个十字型的物体，中间是硅体翅片，它可以三个方位控制电路，类似鱼的后鳍。三栅极晶体管比MOS管更优秀，电流控制速度更快，减少泄露。 芯片内部大多是晶体管，采用层级的排列方式芯片的体积越来越小，对集成电路的要求非常高，大部分用的都是晶体管，很少用到电感、电阻这些容易产生热量的器件。它们在芯片内部采用的是层级排列方式，第一层有处理器、存储器功能的晶体管封装在一起并排，到了第二层或是第三层就是交错排列方式。 当芯片工艺更进一步的时候，以现在的晶体管技术无法满足条件。如果到了3纳米的工艺节点，现在的晶体管已不适用，科学家们已经在研发新的多桥通道场效应管材料用于芯片制造。 |
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