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晶体管放大器名单
1。AB类4个晶体管放大器 2，耳机放大器使用晶体管 3。一个低成本放大器电路使用晶体管 这些都可以在很多低规模的应用中使用的电路。这些电路的主要特点是，他们都只是基本的设计和使用的组件，可以很容易地从您的垃圾邮件箱“，获得。在组件的价值是不是很关键，它的细微变化不会影响性能。
4晶体管AB类放大器
说明
这里显示的是一个非常简单和容易建立的AB类音频放大器，使用四个晶体管。在AB类操作，每个输出设备进行更多的输入信号周期的一半以上。效率高达78%是可能的，与AB类设计和跨越减少失真。此处所示的电路是适合小型无线电接收器，音频播放，对讲，电话等。 晶体管Q1及其相关组件是有线作为前置放大器阶段。音频输入耦合到Q1通过电阻R1和电容C1基地。电阻R3提供收藏家基地第一季度的偏见和C3是交流旁路电容集电极电阻R4。集电极基地偏置是一个这样的电路偏置的好方法，因为它提供了足够的负反馈，防止热跑道和稳定的工作点。第二阶段是推挽对司机的阶段。第二季度及其相关组件执行这项工作。这一阶段也是收藏家基地偏颇，其输入是使用电容C2的前置阶段的输出耦合。电阻R8限制集电极电流Q2.The第三阶段是AB类推挽晶体管Q3和Q4组成部分。二极管D1和D2提供推挽级的偏置电压。放大器的输出通过电容C4耦合到扬声器。C5和C6是电源滤波电容器。 4晶体管放大器的电路图
 4晶体管AB类放大器
注意事项
该电路可在VERO板组装。 K1可8 ohm/5W扬声器。 C6必须接地附近的Q1和C5必须接地外放地面附近。这降低了噪音。 使用5V直流供电电路。
2，A类耳机放大器
说明
这是一个耳机放大器工作在A类推挽模式的电路图。在A类模式的输出器件(晶体管)在整个输入信号周期进行。A类操作的最大可能效率为50%，进一步减少时使用电容耦合。但是，AB类放大器的优点是没有对交叉失真，高保真和低谐波失真。这些放大器是最适合低功耗应用。 在电路中晶体管Q1作为前置放大器。电阻R6和R7提供了潜在的分压器Q1的偏置。音频输入耦合基地OD第一季度通过电容C2，电阻R9和R10的壶。Q1的射极耦合到Q2的通过电阻R3的基础。二极管D1和D2，第二季度提供偏置电压。第三季度的基地是直接连接到Q1的集电极。电阻R5 Q2和Q3的集电极电流限制。C4和C5电源滤波电容器。放大器的输出耦合头手机采用电容C3。
耳机放大器的电路图
 耳机放大器A类
注意事项
该电路可在VERO / PERF板组装。 电源可以是任何东西6至24V直流。 我用12V直流供电电路。 Z1可以是一个100欧姆或更高的头电话。 电解电容器的额定电压必须根据您使用的电源电压。
3，低功耗晶体管放大器电路
说明
下面是一个非常简单的低功耗三个阶段晶体管放大器电路。第一和第二阶段是预放大器和第三的是输出阶段。集电极基地偏置受聘为每个阶段，这样的电路就足够了。 集电极基地偏置：考虑第一stage.R1是集电极电阻，R2是基极电阻。这种类型的偏置提供了一些负面的反馈，避免热失控和稳定的工作点。当温度升高时，集电极电流也随之增加。这增加的集电极电阻R1两端的电压下降，这降低了基极电阻R2上的压降 。因此，这反过来又下降，集电极电流和热失控的基地电流下降是可以避免的 。稳定的工作点是通过防止在集电极电流随温度的变化 。 一个晶体管放大器工作时，集电极电压，将输入信号的相位相反。，由于基极电阻R2集电极和基极之间的连接，一些小部分的相位相反的集电极电压反馈输入(基地)通过基极电阻R2，从而实现负反馈。负反馈降低放大器的电压增益，但它提高了稳定性。 在Q1的集电极耦合到Q2基使用的电容器C2。R3是Q2和R4偏置电阻，其Q2的集电极resistor.Collector耦合使用电容C3第三季度的基础。R5是Q3和扬声器的偏置电阻，集电极负载连接。电容C4和C5的过滤器。C1是输入直流去耦电容。
低功率晶体管放大器的电路图
 低功率晶体管放大器
注意事项
该电路可在Vero或PERF板组装。 使用9V直流供电电路。一个9V PP3电池是好的。 所有电解电容必须为10或15V。 可以添加一个可选的保护二极管，在一系列的积极电源线。这偶然的极性反转保护电路。 类型的晶体管的数量是非常关键的。更换不会影响性能的一个伟大的延伸。 使用电源适配器供电电路，会诱使一些噪音。 扬声器阻抗64欧姆或以上。 |
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