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美国次世代芯片诞生,效率提升1000%,打破晶体管化学极限

 X先生与Y星人 2019-08-31

全球智能手机都在面临一个问题,就是性能瓶颈。虽然我们可以看到,每一年的手机跑分都在提升,幅度大约在20%到50%之间,但是却远远未能达到电脑CPU的水平。事实上,由于功耗和体积限制的原因,采用相同硅材料制造的手机芯片,性能几乎永远不可能超越庞大的电脑CPU。尤其是对于游戏至关重要的GPU,手机与电脑完全没有可比性。


事实上,华为苹果三星高通一直寻找一种低能耗高性能的芯片,来延长手机续航能力以及提升跑分。首先,硅材料的导电能力并不算强,导致其需要消耗更多的能量传输数据。而碳纳米管则是一种理性的半导体材料,它不仅导电能量比硅强很多,而且稳定性和耐用性都更好,而且对光刻机的技术要求没有那么苛刻,制程极限更高。


好消息是,近期美国麻省理工学院研究团队终于取得重大突破,成功制造出了16位碳纳米管芯片。据悉,该芯片集成了14000个碳纳米晶体管,理论上效率比同类硅芯片高1000%,运行速度更是提升数倍。有数据显示,碳纳米管芯片自诞生以来就获得了高速发展,这种芯片的运算速度几乎每年翻十倍,比传统的硅芯片改进空间大很多。有工程师认为,从技术可行性角度来看,碳纳米管芯片将很有可能成为次世代芯片。

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