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小编推荐值得一看的书单 有些技术就像是挂在我们头顶上的一串葡萄，充满了诱惑，我们跳啊跳地去够，但总是差一点，或者是能吃到一两颗，但终究感觉不解渴……SiC（碳化硅）应该就是这样一种技术。 作为第三代半导体材料的代表，如果单从性能来看，SiC可以瞬间“秒杀”它的前辈——那些Si（硅）器件。和Si材料相比，SiC的禁带宽度是其2.9倍，导热率是3.3倍，最高工作温度为3倍，击穿场强高10倍，工作频率可达10倍以上，而开关损耗只有Si器件的1%…… 
从以上的特性我们不难得出结论，SiC特别适合于制成功率半导体器件，在电力电子领域实现高压应用中的能量转化和控制。而传统上Si器件一直是该领域的主流——几百伏以下的应用基本上是Si材料MOSFET的天下，400伏至10千伏高压应用则被IGBT把持。但是，IGBT的开关速度很慢，且在电力电子领域Si材料的发展已经达到了理论极限，很难进一步降低其传导损耗和开关损耗，提升效率。而更高速、低功耗、更靠性，这些设计挑战都可以随着SiC的驾到迎刃而解。比如从开关损耗这个指标来看，采用平面工艺的SiC MOSFET的开关虽好比IGBT减少60%，如果采用沟槽工艺，还可在此基础上再减少42%，SiC器件性能提升潜力由此可见一斑。因此曾有人预言，到2010年左右，SiC器件将主宰功率半导体市场。可是我们知道，现实并非如此。今天，Si器件依然“老”当益壮，扮演着功率半导体市场的主角，同为第三代半导体材料的GaN的发展势头也有点后来居上的味道，在30-600伏的中高压区间站稳脚跟，而SiC的爆发却迟迟没有到来。
SiC市场爆发最大的阻碍就是其一直高企的成本。目前，SiC MOSFET器件的每安培成本比同类IGBT高出五倍以上。尽管SiC器件制造商已经将工艺从4英寸晶圆升级到6英寸，尽力降低成本，但是SiC固有的制造工艺上的问题还是没有完美解决。归纳起来，SiC工艺上的挑战主要有以下几个方面：- SiC的晶片一直受到微管缺陷的困扰，虽然近年来这方面已经取得显著的进展，但制作大尺寸晶圆的产能依然受限。
- SiC的外延生长也容易出现缺陷，大尺寸晶圆更为明显，同时气相外延速率低，液相外延产量低，没有一种最佳方案。
- 掺杂工艺要求特殊，只能使用比较“贵”的离子注入方式。
- 此外，在金属电极制作、相关材料配套上也有不成熟的地方。
这些问题汇集在一起，令SiC半导体功率器件一直在低产能、低良率、高成本上徘徊，虽然一直在进步，但是其进步的速度似乎没有竞争对手快——比如IGBT技术从20世纪90年代至今已经更迭了七代，成本也降到了原先的五分之一……不过，近期市场的发展有望为SiC的发展助一臂之力。要知道，市场和技术总是相辅相成的，技术固然可以推动市场，市场需求的崛起也会拉动技术的进步，包括相关应用生态的完善。对于SiC来说，这个市场机会很可能来自于电动汽车。有数据显示，到2025年全球电动汽车市场规模将达到2500万辆，是2018年的15倍以上。在电动汽车上，DC-DC转换器、车载充电器、牵引逆变器等都为SiC提供了用武之地。
图2，SiC和Si器件在电动汽车市场的应用比较（图片来源：英飞凌）
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