静电感应晶体管

静电感应晶体管的结构是由日本的西泽润一和渡边提出的，并于1970 年由西泽润一报道了第一只静电感应晶体管。SIT从基本结构、工作原理到重要的工艺即在高阻外延层上做P+隐埋栅，都是二十世纪六七十年代末在西泽半导体研究所开发的。由于SIT器件显示负温度特性，不引起电流集中，易实现大面积化，采用完美晶体生长技术把栅电阻做得非常小；高阻抗层的引入使电极间的电容大大减小，从而实现了高频、千瓦量级的大功率SIT器件。典型的器件有日本乐器公司的200W 60MHz音响放大器用的SIT、东北金属工业公司300W 、1KW、3KW的隐埋栅功率SIT，这些功率器件表现出典型的常开特性,可用于超声振荡器、工业用高频感应加热等。1976 年西泽润一又研制出平面栅结构的SIT。其后日本自动纺织机械制作所利用此技术制造了1000V、200A的常开型功率SIT，用于升降机的DC/AC电机调速。通过减小栅与漏间、栅与线路间的电容，采用能减少栅电阻的嵌入栅结构，1979 年三菱电机和东芝公司分别研制成了2GHz 10W；1GHz100W的微波大功率SIT，作为晶体管首次创造出微波频段、输出超过100W记录，证实了SIT作为晶体管优良的性能，并在开关电源、超声波发生器、广播功率放大器、空间技术等应用方面得以大力开发。经潜心研究和开发，1983 年美国GTE公司采用硅平面栅和隐埋栅型结构，研制成功了200～900MHz频带，输出功率100W及1.2GHz 、输出功率25W的SIT，用于卫星通信领域。1986 年50MHz、500W高频功率SIT进入市场。1987 年日本东芝将3KW常开型功率SIT用于100KHz、300KW的高频感应加热设备，同时开展了200KHz、1MW设备的试制工作。日本的东北金属工业株式会社将50～100W常开型SIT用于飞船。采用300W级的SIT研制出了KW超声波发生器，其中包括振子转换效率在75％以上；采用300W级SIT研制了100KHz、25V、60A开关电源，效率为70％。当时SIT的水平是：截止频率为30～50MHz，连续工作电流250A，最大阻断电压2000V。八十年代中后期，IGBT、VDMOS、MCT等新型器件的开发取代了SIT的研究，研究者们把精力放在更具有完美特性的器件上。主要制造厂商有日本的三菱电机、东芝公司、东北金属工业株式会社，法国的CNET，美国的GTE公司。