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DMS2120LFWB 具有集成SBR的P沟道增强型MOSFET 特征 低导通电阻 95mΩ@ V GS = -4.5V 120mΩ@ V GS = -2.5V 150mΩ（典型值）@V GS = -1.8V 低栅极阈值电压，最大-1.3V 快速切换速度 低输入/输出泄漏 采用低VF超级势垒整流器（SBR） 薄型，0.5mm最大高度 无铅/符合RoHS标准 “绿色”装置 符合AEC-Q101高可靠性标准 美台DIODES二三极管，MOS管，电源管理，查货，索样，请来电洽询深圳市捷比信实业有限公司。 DMS2120LFWB-7 DMT32M5LFG-13 AZ1117CH-3.3TRG1 DMN1006UCA6-7-01 SBRT3U40P1-7 PI3WVR646GEEX DMN1002UCA6-7-01 DMTH6010LPD-13 B540CQ-13-F DMN2036UCB4-7 ES2G-13-F MJD31C-13 PD3S160-7 AZ1117EH-3.3TRG1 BAV199Q-13-F |
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