分享

MOSFET作为后端负载的开关,这种应用有什么风险?

 JunleDoc 2019-10-24

MOSFET导通时的内阻非常小,驱动负载能力比三极管更强

MOSFET可以用于快速开关、电平转换、负载驱动。MOSFET导通内阻更小,可以通过的电流比三极管多很多,更适合用于驱动负载。电动工具的电机驱动用的就是MOSFET,承受的电流可以达到几十A。

CPU的GPIO直接控制MOSFET

MOSFET是电压控制型的元件,如果CPU的GPIO的输出电压大于MOSFET导通电压要求,直接驱动是没有问题的。

N沟道MOSFET:CPU的GPIO(DR)设置为高电平时MOSFET导通,GPIO(DR)设置为低电平时MOSFET断开

P沟道MOSFET:CPU的GPIO(DR)设置为低电平时导通,GPIO(DR)设置为高电平时MOSFET断开

不同的驱动电压,MOSFET导通时的内阻会有差异,驱动电压较低时,内阻会增大,导致MOSFET发热增大。如果CPU的工作电压较低,GPIO直接驱动MOSFET的确存在一定的风险。在设计MOSFET驱动电路时,一定要充分考虑CPU的GPIO的驱动电压

CPU驱动电压不足可以加入三极管驱动

三极管是电流型的驱动元件,虽然CPU工作电压较低,通过调整三极管的基极电阻可以使控制电流(Ib)满足三极管驱动要求,再通过三极管集电极提供驱动电压给MOSFET。

N沟道MOSFET:CPU的GPIO(DR)设置为低电平时导通,三极管截止,三极管的集电极为高电平,可以驱动N MOSFET导通;CPU的GPIO(DR)设置为高电平时,三极管导通,三极管的集电极为低电平,N MOSFET管就断开了。

P沟道MOSFET:CPU的GPIO(DR)设置为高电平时导通,三极管导通,三极管的集电极为低电平,可以驱动P MOSFET导通;CPU的GPIO(DR)设置为低电平时,三极管截止,三极管的集电极为高电平,P MOSFET管就断开了。

总结

用CPU的GPIO口直接控制MOSFET管,MOSFET作为后端负载的开关是否存在风险需要看MOSFET的选型和电路的设计是否合理。如果设计合理,CPU的GPIO驱动MOSFET的电压足够是不存在风险的。在不确定是否存在风险的情况下,建议加入三极管控制MOSFET,以确保产品设计的可靠性!

    本站是提供个人知识管理的网络存储空间,所有内容均由用户发布,不代表本站观点。请注意甄别内容中的联系方式、诱导购买等信息,谨防诈骗。如发现有害或侵权内容,请点击一键举报。
    转藏 分享 献花(0

    0条评论

    发表

    请遵守用户 评论公约

    类似文章 更多