发文章
发文工具
撰写
网文摘手
文档
视频
思维导图
随笔
相册
原创同步助手
其他工具
图片转文字
文件清理
AI助手
留言交流
Si 材料的历史与瓶颈
SiC/GaN:稳定爬升的光明期
SiC:极限功率器件的理想的材料
SiC 产业链:欧美占据关键位置
SiC 市场:汽车是最大驱动力
GaN:承上启下的宽禁带半导体材料
GaN 在电力电子领域与微波射频领域均有优势
GaN 产业链:海外企业为主,国内企业逐步涉足
GaN 市场:射频是主战场,5G 是重要机遇
来自: liuaqbb > 《待分类》
0条评论
发表
请遵守用户 评论公约
我国氮化镓行业市场应用领域不断深入 国内投资快速增长
SiC相比,GaN在成本方面表现出更强的潜力,且GaN器件是个平面器件,与现有的Si半导体工艺兼容性强,这使其更容易与其他半导体器件集成。GaN...
LED衬底材料的概念、作用、种类及性能比较
LED衬底材料的概念、作用、种类及性能比较LED衬底材料大全:http://www.ledwn.com/sell/list-144.htmlLED衬底材料的概念、作用、种类及性能比较概念:衬底又称基板,也有称之为支撑衬底。1、蓝宝石衬底...
一文带你认识第三代半导体材料双雄——碳化硅VS氮化镓
说完了SiC,再来说说GaN。SiC和GaN的区别不同的应用所需的功率和频率性能不同,无论硅器件还是新型WBG器件,每种类型的器件都有其用武之...
碳化硅与氮化镓材料的同与不同
不同的应用所需的功率和频率性能不同,无论硅器件还是新型WBG器件,每种类型的器件都有其用武之地。尤其需要指出,SiC器件能承受更高的电压,高达1200伏及以上,而GaN器件则能承受的电压和功率密度要低...
氮化镓,再起风云
作为第三代半导体的翘楚,大量厂商力图在GaN上实现技术突破以抢占市场先机,为了让功率 GaN 达到更高的击穿电压(>1200V),部分技术创新已经登上舞台,例如垂直 GaN-on-GaN,以及通过使用电隔离衬...
碳化硅和氮化镓
碳化硅和氮化镓。如今碳化硅被广泛用于制造高温、高压半导体。掺杂Al的3C-SiC、掺杂B的3C-SiC和6H-SiC的碳化硅都能在1.5K的温度下拥有超...
半导体材料介绍,第一代、第二代、第三代、第四代半导体材料分类
半导体材料介绍,第一代、第二代、第三代、第四代半导体材料分类。在《什么是半导体》一文中,我们对半导体材料只做了简单的介绍,本篇...
2016年我国碳化硅半导体产业技术水平、竞争格局及需求市场前景分析【图】
2016年我国碳化硅半导体产业技术水平、竞争格局及需求市场前景分析【图】SiC:功率半导体器件取代Si,市场空间大。5)国家电网智能电网...
盘点金刚石衬底GaN基微波功率器件研究进程
盘点金刚石衬底GaN基微波功率器件研究进程2006年,美国Cree公司的Wu等人研制的GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT),4GHz时的输出功率密度...
微信扫码,在手机上查看选中内容