|
IGBT和MOSFET工作特性不一样，在考虑具体技术细节的情况下，可以用IGBT替代MOSFET。 需要考虑到的问题点： 1)电路的工作频率：IGBT工作频率低，一般25Khz是上限。如果电路工作频率超过IGBT频率上限(以具体管子数据手册为准)，不能替换。 2)驱动电路的关断方式：MOSFET可以用零压关断，也可以用负压关断。IGBT只能用负压关断。如果电路驱动电路，只是零压关断，一般不能替代。 3)功率管并联：MOSFET是正温度特性，可以直接并联扩流，而IGBT是负温度特性，不能直接并联。如果电路是多个MOSFET并联使用，不能用IGBT简单替换。 4)电路是否需要开关器件续流二极管：MOSFET自带寄生二极管，IGBT则是另外加进去的。保险起见，只选择带续流二极管的IGBT。 5)IGBT输入电容，要和原电路MOSFET的输入电容接近。这只是考虑驱动电路的驱动能力，与MOSFET和IGBT特性无关。 6)对过流保护电路，IGBT要求更高。如果没有电路图的话，可以通过短路试验来确定能否替换。 对于常见的简单电路，考虑上述几个因素，就可以用符合功率耐压要求IGBT替代MOSFET。其他未考虑到的因素，请大神们补充指正。 |
|
|
