小身材大功能---防倒灌和浪涌抑制

小系统工程师设计会选择小巧、简单实用的负载开关来控制时序和减少功耗，但却时常被无法切断倒灌烦恼。开关两侧都可能供电时，断开开关需要防止透过体二极管倒灌。基本的MOSFET开关是个单向开关，不能阻断两个方向的电流。

如果您正在被这些问题困扰，请看看SGM2564是如何阻止倒灌的。

设计理念

SGM2564系列产品的开关衬底控制独立于其它电路;在双侧电源条件下，仅藉由ON引脚来控制接通和断开可能在任何一侧的电源、不管哪一侧电压较高。断开开关时开关两侧的电压在SGM2564衬底控制电路内竞争、互锁，衬底被自动连接到低电压一侧、阻断电流通过。SGM2564的这一特点适合用于脉冲供电、电容保持的场景和象利用HDMI连接互操作那样系统局部被外来供电启动的场景。

SGM2564系列产品有浪涌电流抑制功能。接通负载瞬间，如果不加专门控制，对负载侧电容的快速充电导致电流浪涌、相当于瞬间被电容短路。电流的浪涌可引起源侧电压跌落，严重时致使宿主功能紊乱。SGM2564系列产品有两种浪涌抑制方式可选;一是电压软启动、即以受控的速度慢慢提升输出电压直到彻底接通，二是渐增恒流启动、限制启动过程输出到负载的电流。第一种方式有利于避免启动过程中出现电压回沟，如果负载在这过程中突然变大，输出电流仅受短路保护电流水平限制;它适合大储能电容负载和随电源接入启动的应用电路。第二种方式对电源冲击最小，由其恒流电流决定;它适合源侧供应能力有限的应用，但它在输出电压上升过程中可能因负载启动引起回沟。

SGM2564系列产品的工作电压范围低至1 V，适合宽电压范围的物联网终端产品和便携设备设计。其超低静态功耗助力实现绿色环保。

产品特性

• 超小封装尺寸WLCSP-1.45×0.95-6B

• 工作电压：1V至5.5V

• 超低导通电阻，V_IN= 3.3V时，R_ON= 16mΩ(TPY)，支持4A(MAX)电流能力

• 较低的待机电流：180nA(TYP)

• 支持低电压系统，满足各种小电池系统的供电要求

• 工作温度范围为扩展工业温度-40℃到+85℃

典型应用电路

产品优势

• Inrush控制，高可靠性

• 防倒灌

• 超低的静态功耗及超小尺寸

• SGMICRO强大的供货能力保障供应链稳定

• 就近的服务支持

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