自举升压是利用电容的电压不能突变的原理来实现的。 自举电路说明题主的图例中,芯片内的MOS管是电压驱动的。该电路的拓扑为BUCK型电路,即降压电路,MOS管的栅极G和源极S之间需要加一正电压,该管子才能导通,导通后该芯片的PV1与LX1脚的电压近似相等。假设PV1的电压是30V,MOS管安全导通的电压为15V,那么当MOS管导通后,MOS管的栅极和源极之间要保持15V电压,那么栅极与参考地之间的电压就需要45V,显然一般的控制电路中不会再弄个45V的电源。 针对这一问题,一个比较方便的方案就是采用自举技术。我这里对题主的图片作了一些说明,如下图所示: 题主原图中的红色箭头我想应该是指自举电容的充电路径。这里我对该电流的路径从从续流二极管D1的阴极流入,然后从阳极流出这一点不是很认同。但是我现在还没有想明白该电流从自举电容负端流出后会从哪条路径走还不是太明白。若有了解的朋友请留言诉我。
上图中蓝色箭头所指就是自举电容的放电路径,在电路工作期间,自举电容被循环充电放电,因此该电容两端的电压是在上下波动的,该波动范围与电路的工作频率及该电容的大小有关。在设计电路参数时需要考虑电容两端电压的最小值要大于MOS管开通的最低电压值,不然MOS的损耗会变大,影响使用寿命。 口口木的笔记 2019年2月9日 |
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