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三星(Samsung)近日宣布正式量产第5代V-NAND快闪存储器，第5代V-NAND 堆栈层数超过90层，且为首度支援Toggle DDR 4.0传输界面的NAND快闪存储器，其单颗封装的传输速度即可达1.4Gbps，相较于前一代64层的产品，传输速度提高了40%，并可实现更低的功耗及大幅减少写入延迟。 三星电子快闪存储器产品与技术执行副总裁Kye Hyun Kyung表示，第5代V-NAND解决方案将能满足快速成长的高端储存市场，此外，该公司除了宣布量产第5代V-NAND之外，未来也会为V-NAND阵容推出1TB和QLC(Quad-level Cell)的产品，这将继续推动下一世代的NAND储存解决方案发展。 据悉，第5代V-NAND快闪存储器除了采用全新Toggle DDR 4.0传输界面提升速率之外，也进一步强化性能和功耗，其工作电压从1.8V降至1.2V，写入速度也高达500us，比上一代V-NAND快闪存储器提升了30%，而读取速率的回应时间也缩短到50us。 此外，该产品内部堆栈超过90层电荷储存式快闪存储器(Charge Trap Flash, CTF) Cell，是目前市面堆栈层数最高的3D NAND TLC架构快闪存储器;这些储存单元透过微管道孔洞连接，每个孔洞只有几百纳米宽，总计包含超过850亿个CTF单元，每个单元可以储存3位元资料。 另一方面，第5代V-NAND快闪存储器也透过制程技术的改善，使制造生产效率提升30%，并藉由先进制程技术，使每个快闪存储器单元的高度降低20%，减少单位之间干扰的发生率，进而提高资料处理的效率。 三星指出，该公司目前正加强第5代V-NAND快闪存储器的量产进程，以满足广泛的市场需求，象是高密度储存领域，高效能运算、企业服务器，以及行动装置市场等。 |
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