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对于先进的制程来说BPSG早已经废弃不应用于ILD层了。
在logic产品上，其只是用到.18um技术，除了那些小的FAB厂可能还会坚持一代。然而，在DRAM上倒是用到90nm制程的，甚至再小一点节点也有可能，因为其对技术要求没有那么严格。
说了这么多，为什么要用BPSG呢？最初的时候当没有HDP及CMP的时候，使用它便是首选了，因为在当时其填充能力是很好的，利用回流性能便可得平坦的表面，而且器件尺寸又不是很大，并且热预算也不需要很高，便足可以应用于logic了。
掺入P是至少有两个重要理由：捕捉可移动的金属阳离子（主要为Na ），及降低回流温度。加入越多，回流效果越好，然而物极必反，因为会容易吸水，带来副作用。掺入B可降低掺入P的量，减少上述风险，并且可降低回流温度。同样地，太多也会带来不利影响，导致元件缺陷。
BPSG主要用于2~0.25um制程，随着器件继续降低，对热预算的要求愈来愈高，不可能再使用如此之高的温度，对于现在的HKMG制程来说，那更是不可能的了。
之后，随着HDP的开发及CMP的横空出世，这一切便随之改变了。
主要原因如他所说一是为了阻挡金属离子的扩散，二是因为其很好的回流特性。实际上在先进制程SACVD的BPSG制程还是非常流行，普遍应用于DRAM的ILD，如QMD的110和90nm制程仍然使用这道工艺。而HDP的PSG更多流行于Logic产品。换句话说，depend on the properties of product.
BPSG回流的时候用的多，平坦化。
PSG BSG有时候在做护层的时候，和BPSG混在一起用.
大部分的工艺都会在ILD（inter-layer dielectric）用到BPSG,越往下走，p的作用还是不可少的,所以到后面就只会用到PSG了
要问他们间的用途就要响应的了解这3者的性质差异了!
1当只含有B或P时，回流角都大于50 °，所以如果氧化膜中只含有B或P，回流后的平坦化效果都是不佳的。)
所以，要达到较好的回流效果，氧化膜中应该同时含有B、P
B的含量对回流效果起到最显著的作用
2、只含有P的膜腐蚀速率超过6000A/MIN ，而一旦有了B的掺入，腐蚀速率则降到2000A/MIN左右。可见，B可以增强BPSG膜的抗腐蚀性.
3、当B>5%时,P约为4.4%的情况下,膜表面就因为吸潮而形成结晶物,且B含量越高,形成的结晶物越多.,
所以如果用做层间介质的话肯定要好的回流效果了这样BPSG是好的选择
如果用来做护层则PSG则是好的选择# BPSG
硼磷硅玻璃（boro-phospho-silicate-glass，BPSG）：
这是一种掺硼的SiO2玻璃。可采用CVD方法（SiH4 O2 PH3 B2H6，400oC~450oC）来制备。BPSG与PSG（磷硅玻璃）一样，在高温下的流动性较好，广泛用作为半导体芯片表面平坦性好的层间绝缘膜。
PSG和BPSG
PSG要求的回流温度很高大约1100℃，高温处理容易引起杂质浓度再扩散和硅片变形，以往PSG增加P的含量可以降低回流温度，但是P的含量增加会影响膜的稳定性和可靠性。因此出现了掺B的BPSG来代替PSG，其中B的作用是降低回流温度，P主要是起抗离子的作用（主要是Na离子）。回流温度随B的增加而下降。但B的含量增加使抗潮能力减弱，因此B的含量要适当。一般BPSG中，B和P各占4%。回流温度降到了800~950℃，由于P含量的降低可减小PSG膜中吸潮后生成H3PO4对Al的腐蚀，又改善了台阶梯度。
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