【SDRAM/DDR结构】之一 逻辑

• 会解释的概念

1. 逻辑bank

2. 存储单元（内存颗粒）
   如果对以上概念有疑问可以看这一节。

• 内存整体结构
  
  接下来我们会自下而上的讲解内存结构。

• 存储单元
  SDRAM内部由存储阵列组成，如果要访问某个存储单元（或叫内存颗粒）中的数据，需要知道它的地址，这是由L-bank编号，行地址和列地址来确定的，一般内存有2~8个Logic-bank；
  
  图中的每一块就是一个存储单元，到底一共有多少的存储单元呢？
  那就要看有多少bank，有多少个引脚来表示行、列地址了，下图是一个SDRAM的示意图和引脚说明：
  

 
2^2 *2^9 *2^13 =2^24 ，2表示4个L-bank(2^2)，14表示列寻址能力，有14个引脚表示，17表示行寻址能力，有17个引脚表示。一般芯片采用行引脚和列引脚时分复用，采用RAS，CAS引脚表示当前是行寻址还是列寻址。这里留了几个坑，可能读者会有疑问：
Q1：行引脚和列引脚时分复用，为什么列引脚少了3位？
Q2：行寻址和列寻址看起来是不同时发生的？
Q3：RAS，CAS是什么意思？
这三个疑问会在后续详细解释，这里给出一个简单回答，以便读者继续阅读：
A1：列引脚少了几位是用于burst操作；
A2：是的，先发送L-bank编号和行地址，等待一段时间再发送列地址，定位存储单元；
A3：RAS（row address strobe 行地址选通脉冲），
CAS（column address strobe 列地址选通脉冲）；