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硅0.7V锗0.3V压降,锗强于硅,为什么不发展锗芯片,而发展硅芯片呢?

 昵称tfKn5 2020-03-30

化学符号是Si,沙子的主要成分是二氧化硅,经提纯后可得高纯度的单晶硅是重要的半导体材料。

化学符号是Ge,是重要的半导体材料,在半导体器件上的应用已大部分被硅取代,仅在高频大功率器件上有一定用量,其他以光电雪崩二极管用量较大。

电流流过负载以后相对于同一参考点的电势(电位)变化称为电压降,简称压降。

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芯片

硅PN结正向压降为0.7V左右,锗PN结正向压降为0.3V左右,这个参数意味着什么呢?

意味着锗比硅压降要小,压降小就意味着启动电压就小,启动电压小意味着供电电压就小,供电电压小意味着功耗就小,功耗小意味着发热量就小。锗的开启电压非常小仅仅需要0.1V即可,而硅的开启电压却需要0.5V。

锗的优点还有:锗管空穴迁移率最大,是硅的四倍;电子迁移率是硅的两倍,意味着速度会更快。禁带宽度小,有利于发展低电压器件。激活温度远低于硅,有利于节省热预算。小的波尔激子半径,有助于提高它的场发射特性。小的禁带宽度,有助于组合介电材料,降低漏电流。

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锗晶体管:一个金属箭头,插在一块锗上

锗的优点这么多,为什么还是发展不起来呢?

追本溯源,回看晶体管的发展史,锗,曾经的明星。在半导体芯片发展的早期,硅只能当配角,锗才是真正的明星:第一个晶体管是锗晶体管;第一个集成电路(芯片)是锗芯片;有一段时间,晶体管市场的主流是锗,硅晶体管销量不及它的零头。最初锗管的研究应用是很广泛的,1947年贝尔实验室发表了第一个以锗半导体做成的点接触晶体管。由于点接触晶体管的性能尚不佳,肖克利提出了使用p-n 结面制作接面晶体管的方法,称为双极型晶体管,肖克利发明p-n 二极管及晶体管效应的研究获得1956年诺贝尔物理奖。回想七八十年代的收音机,分立原件锗管的应用到达了巅峰,到九十年代集成电路出现后锗就逐渐没落了,到现在几乎是没有锗芯片的,都是硅基芯片。

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锗管

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锗收音机

为什么历史选择了硅?

1954年,很多人抱怨锗晶体管的一个坏的特性,不能在高温下工作,在温度方面,锗首先败下阵来:锗晶体管能耐受的温度只有80℃,而军方的要求是在200℃也能稳定运行,能扛住这个温度的,也只有硅晶体管了。限于当时技术水平,人们都认为硅晶体管还需要等上好几年的时候,从贝尔实验室跳槽到德州仪器的Gordon Teal从口袋里拿出了硅晶体管的成品, 那一刻使得Tl才从一个小电子公司突然变成了一个极具行业影响力的巨头,Tl不仅是第一个生产出硅晶体管的公司,更是第一个生产大众化晶体管的公司。

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八位仙童

与此同时,肖克利的“八个叛徒”创办了仙童半导体公司,发明了制造扩散型硅晶体管的“平面处理工艺”,把硅晶体管的制造变得像印书一样简单、高效,价格还非常便宜。随着仙童公司的扩散型硅晶体管大量上市,晶体管开始告别锗时代,仙童公司实现6个月盈利,从名不见经传的小公司,跃升为可以和德州仪器这样的巨头肩并肩的半导体新贵。真正完全终结锗晶体管的,还是集成电路(俗称芯片)的发明。德州仪器和仙童公司同时发明了集成电路,但技术路线不同,德州仪器用的是锗晶片,仙童公司一如既往地用硅晶片。锗虽然退出芯片领域,但仍然是一种重要的半导体材料,在半导体元器件、传感器、太阳能电池等领域,重要而独特的地位依然不可替代。

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硅晶圆

硅作为现在最广泛应用的半导体材料,它的优点是多方面的。

1、硅的地球储量很大,所以原料成本低廉。

2、硅的提纯工艺历经60年的发展,已经达到目前人类的最高水平。

3、Si/SiO2 的界面可以通过氧化获得,非常完美。通过后退火工艺可以获得极其完美的界面。

4、关于硅的掺杂和扩散工艺,研究得十分广泛,前期经验很多。

相对于硅,锗的缺点也比较明显:锗属于较为活泼的材料,它和介电材料的界面容易发生氧化还原反应,生成GeO,产生较多缺陷,进而影响材料的性能;锗由于储量较少,所以直接使用锗作衬底是不合适的,因此必须通过GeOI(绝缘体上锗)技术,来发展未来器件。该技术存在一定难度,但是通过借鉴研究硅材料获得的经验,相信会在不久的将来克服。

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龟与芯片

硅锗芯片的兴起,两者结合,取长补短,能否成为新的起点?

据国外媒体报道,IBM硅锗芯片速度高达500GHz,IBM与佐治亚理工学院成功在温度为-268℃下,使一颗芯片运行在500GHz,这刷新了硅锗芯片的速度记录。研究人员使芯片温度达到了-268℃,这样的低温在自然界只存在于外太空,已接近绝对零度。硅锗芯片在低温下可以获得更好的性能,研究人员预言最终芯片的频率可达1THz。 此项实验是探索硅锗(SiGe)芯片速度极限计划的一部分,这种芯片类似于标准的硅基芯片,但是它含有锗元素使得芯片的功耗更低,性能更佳。

在室温下,IBM和佐治亚理工学院的芯片已经可以稳定运行在350GHz,相对之下,目前个人电脑处理器的速度为1.8GHz至3.8GHz。

加入锗元素可有效提高芯片性能并降低功耗,同时也会增加晶圆和芯片的生产成本。目前高性能的硅锗芯片只应用导弹防御系统、宇宙飞行器以及遥感测量等特殊领域。

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硅锗芯片

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