自旋极化率自旋极化率是指在一定条件下让电子、原子核等带电粒子的自旋方向都朝向某一个特定的方向排列,从而产生磁性的几率。 应用1.研究自旋电子材料,获得用氧化铝为势垒层的磁性隧道结材料室温磁电阻高达80%,镜面反射自旋阀室温下GMR为13%;探索了新型磁性半导体材料和高自旋极化率材料的新现象;用量子力学方法对一些物理问题建立相关理论。 2.完成16×16MRAM原理芯片的研制。 3.研制出具有自主知识产权的磁性环形隧道结及其在新型 MRAM原理型器件上的应用,该环形隧道结采用电流驱动模式,具有环形磁路封闭漏磁小、驱动电流小、低功耗等优点,可能成为下一代MRAM的优选结构。 4.发现高自旋极化率材料的电致各向异性电阻现象,有可能成为基于新原理的信息存储器件。 5.研制出有自主知识产权的新一代反铁磁材(CrMn)Pt,具有替代现有反铁磁材料的前景; 6.双势垒隧道结的研究成果,推动了磁逻辑元器件和自旋晶体管的研究。 7.研制的四类磁传感器,将推动相关产业的技术进步。 8.建立起自旋电子学研究平台,成功制备出同时具有铁磁性和半导体特性的磁性超薄膜材料,实现自旋电子材料在纳米尺度下的可控生长和磁性调控。 9.量子信息编码,要求左右旋电子运动规律有显著的区别,通过自旋极化,使各种光子产生单一的状态,包括电子自旋态辨识和量子信息编码。 |
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