|
三、晶体管的王者之路 晶体管发展迅猛，最早出现了双极晶体管（二极管），随后出现结节型晶体管、电流控制的三极管（BJT）、场效应晶体管等。  晶体管 尽管早期晶体管已经比电子管好很多了，但是人们仍然在呼唤体积更小的、效率更高的电子器件。于是集成电路在1961年横空出世，诺伊斯一举成名。 1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管，这种晶体管是电压控制的，由于晶体管的主要材料是金属氧化物半导体，因此又叫MOS晶体管，特性是电压大于一定值导通，根据其结构后面我们称其NMOS。 电子世界一日千里，也出现了一些胡思乱想的神棍，1965年，一个叫摩尔的神棍预言，未来一个芯片上的晶体管数量大约每年翻一倍，被人们奉为圭臬。 大概是神棍当久了真觉得自己能成仙，于是3年后，摩尔窜掇同事诺伊斯，一起开除了原来的帮主，自立门户创立了一个神仙帮派，帮派名字就叫“集成电子设备”，缩写英特尔。 1971年英特尔开发出PMOS硅栅晶体管技术。这个技术在晶体管的世界里也是具有划时代意义的。 MOS两兄弟是个奇妙的东西，最早出现的NMOS高通以及其后出现的PMOS低通，由于这两兄弟的导通特性，给了我们很多奇妙的运用，由NMOS和PMOS组成的互补电路我们叫他COMS。 晶体管沿着人们的设想发展，单位体积内存放的晶体管越来越多，衡量晶体管的技术发展水平的数字也就变成了晶体管之间的距离，当然在小距离的范围内，要使每个晶体管都正常工作并不是一件容易的事情，其中涉及很多复杂的因素。但是可以想象，距离越小，单位体积内存放的也就越多，因此就以晶体管的距离作为了集成电路的水平，比如32nm、14nm。 四、IGBT的出现 IGBT出现之前，有很多前辈。最早的可以追溯到可控硅。 1957年爱迪生同学遗留下来的通用电气发明了一个PNPN四层半导体结构的奇妙东西，取名晶闸管，也叫可控硅。随后又出现了可关断晶闸管(GTO)。 由于GTO和MOS都有着先天的不足，在电力系统的运用上受到很大限制，因此上世纪80年代，一种集众家所长的器件诞生，他就是IGBT。 IGBT全称绝缘栅双极型晶体管，名字很长，其实是一个特殊的三极管，简单理解可以看做一个自动开关，当他断开时可看做开路，而导通时可以看做导线。IGBT集电力晶体管GTR(也称作BJT）和P型金氧半场效晶体管（PMOS）的优点于一身，可谓生而不凡。 俗话说：人有三急。人家IGBT也也有三极：栅极、集电极和发射极。IGBT最大的优点是无论在导通状态还是短路状态都可以承受电流冲击，其应用范围极为广泛，一般都在耐压600V以上、电流10A以上、频率为1kHz以上的区域。 我国半导体事业发展较晚，IGBT也毫无例外的长期落后于国外，但近十年来的大幅度追赶，已经取得了重大突破，相信未来会发展的更好。 |
|
|
