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虽然从最高的305块下跌至如今的200块左右，跌幅超过了30%，但兆易创新（603986.SH）的股价涨幅依旧接近30倍，是一只不折不扣的科技大牛股。兆易创新最初主要从事NOR Flash和NAND Flash等存储器的设计与研发，近几年通过收购和参股等方式，相继切入MCU和生物识别传感器等领域，目前形成了'存储+控制+传感'的业务体系。笔者2018年就开始关注兆易创新，但当时因为感觉NOR Flash低端，NAND Flash又不太成熟，因此最终错过了。  重获新生的NOR Flash在说NOR Flash之前先系统的梳理下Flash Memory也就是闪存这个东西。 相比DRAM（动态随机存取存储器，可以直观理解成内存条，停电后DRAM里的信息全部丢失），闪存中存储的内容不易丢失，这也是非易失性存储器的由来。相比传统硬盘存储器，闪存具有质量轻、能耗低、抗震能力好等特点，但也有需要先擦除再写入、块擦除次数有限等局限性。 闪存是上个世纪80年代由日本东芝工程师Fujio Masuoka发明，本人还获得1997年的IEEE奖励。1988年英特尔推出了最早的NOR Flash，两年后Fujio Masuoka的东家日本东芝推出了NAND Flash，NOR Flash和NAND Flash成为最主要的闪存类型。后来三菱和日立联合发明了Divided Bit-Line NOR Flash技术，按字节随机编程的速度略低于NOR Flash，但其块擦/写速度更快；美国AMD和日本富士通则联合研发出了Ultra NAND技术，在兼容NAND Flash特性同时还提高了可靠性。 作为最常见的两种闪存类型，NOR Flash（或非闪存器）和NAND Flash（与非闪存器）在读写速度、可靠性等方面有明显差异：  资料来源：公开资料整理，阿尔法经济研究 冯诺伊曼架构中CPU是不能直接访问硬盘中的内容，而是将需要访问的内容通过指令调到内存，再由内存与CPU交互并实现访问，也就是CPU和硬盘之间还有内存这个第三者，而NOR Flash因为支持Execute On Chip，程序可以直接在NOR Flash内执行，因此也就不需要与DRAM交互了。打个比喻是这样的：原来我们想吃饭先要把饭盛在碗里再吃，而现在是直接把锅端起来就吃，省了盛饭的时间，吃饭效率就快了很多。 NOR Flash根据与CPU端接口的不同可分为Parallel NOR Flash（并行接口）和Serial NOR Flash（串行接口）两类。Parallel NOR Flash的地址线、数据线直接和CPU相连，所存储的内容可以直接映射到CPU地址空间，不需要拷贝到DRAM等中即可被CPU访问。但是后来发现不同容量的NOR Flash在数据线和地址线数量不一致时很难兼容，并且封装尺寸较大，因此串行接口的NOR Flash成为主流，SPI成为最常见的接口：  资料来源：公开资料整理，阿尔法经济研究 从支持的最小访问单元来看，NOR Flash一般分为8位和16位，也有32位的，因为NOR Flash主要用于PC中的BIOS、机顶盒等，不需要太大的容量，主流的NOR Flash容量大多在32M-256M，比如兆易创新GD25B128E容量128M，频率133MHz。 NOR Flash的应用领域主要是PC中的BIOS、DVD、TV和机顶盒等需要存储少量数据、对存储空间要求不高的领域，因此不需要太高的容量，主流的NOR Flash容量大多在32M-256M，比如兆易创新GD25B128E容量128M，频率133MHz。在功能机时代由于手机存储空间普遍不大，因此NOR Flash红极一时，但是在智能手机时代NOR Flash无法满足消费者需求，其风头也被NAND Flash抢去，市场一度严重萎靡。中国产业信息网数据显示2006-2018年NOR Flash市场规模从70亿美元下降至25.96亿美元，原本在该领域具有领先地位的美光、Cypress等厂商相继退出中低容量市场，但巨头的退出反倒给兆易创新和台商华邦、旺红等中小厂商留下发展空间，兆易创新市占率从2017年的10.4%上升至2019Q3的18.2%，成为全球第三大NOR Flash厂商：  资料来源：公开资料整理，阿尔法经济研究 2019年NOR Flash市场重回增长，预计到2022年市场规模达到37.24亿元，主要驱动力来自物联网等新兴应用场景。 挣扎的NAND FlashNAND Flash的数据被以位的方式存储在其存储单元，其存储单元分为四类：单层单元（SLC）、多层单元（MLC）、使用X3架构的TLC单元和QLC，四种单元的主要特点如下：  资料来源：公开资料整理，阿尔法经济研究 NAND Flash在发展过程中出现了4种技术路线，但由于SLC较高的成本，该技术基本淘汰，目前MLC和TLC成为主流，QLC虽然成本更低、容量更大，但使用寿命最短，这也是东芝、美光等内存厂商急需解决的问题。 在应用端，NAND Flash主要用于手机和固态硬盘（SSD），合计占比超过90%，其他应用领域是游戏机、平板电脑和USB等。NAND Flash的市场规模从2016年的389亿美元增长至2019年的460亿美元，预计2020年随着5G手机出货量的增长和IDC强劲需求，NAND Flash将重回增长趋势，预计市场规模将达到570亿美元：  资料来源：公开资料整理，阿尔法经济研究 在竞争格局上，美光等厂商退出NOR Flash市场后将方向转向NAND Flash市场，目前NAND Flash市场几乎被三星、海力士、凯侠（原东芝存储）、西部数据、美光和英特尔等瓜分，其中2019第四季度年三星NAND Flash市占率达到35.5%，是全球最大的NAND Flash和DRAM厂商（市占率45.8%），国内厂商还处于追赶阶段：  资料来源：公开资料整理，阿尔法经济研究 在技术上自从3D NAND成为主流后各厂商推出的产品层数不断增加，比如2019年8月三星宣布实现第六代超过100层的3D NAND量产。国内厂商中2020年4月长江存储宣布128层QLC 3D NAND研发成功并在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。兆易创新NAND Flash产品分为3V和1.8V两大类，其容量有1G/2G/4G/8G等不同规格，但兆易创新的技术路线是成本较高的SLC，而当前SSD价格是不断走低的，因此兆易创新的NAND Flash在消费级市场可能竞争力不足，但在企业级高可靠性场景下的数据存储方面或许有一定优势。 随着2019年兆易创新将思立微并表，公司形成了'存储+控制+传感'的业务体系，可为下游物联网、汽车电子等客户提供更全的产品及解决方案，尤其是NOR Flash在物联网需求刺激下重回增长趋势，作为全球第三大NOR Flash厂商，兆易创新的发展具有想象空间。2019年公司营收达到32.02亿元，同比增长42.62%，归母净利润6.07亿元，同比增长49.85% |
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