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本实用新型专利技术公开一种超声波用大功率IGBT驱动电路，包括：第一电阻、第一三极管、第二三极管、电源、第二电阻、第一二极管、第三电阻、第四电阻、场效应管、变压器、第二二极管、第三二极管、第一电容、第二电容以及信号处理模块，所述变压器包括：初级绕组、第一次级绕组、第二次级绕组以及第三次级绕组，改变了常规的单个变压器的驱动方式，增加了两个次级绕组分别控制正负压，可得到精准的15V与‑5V电压；本实用新型专利技术的输入信号不采用传统的交替信号，改为单组高低电平信号，使得IGBT的驱动更加安全可靠，适应性更好；增加信号处理模块，滤除一些杂散信号，能精准地获得驱动电压及信号。 【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种IGBT驱动电路，尤其涉及一种超声波用大功率IGBT驱动电路。
技术介绍
IGBT即绝缘栅极双极性晶体管，是一种新型功率器件，是上世纪末出现的一种全控型电压驱动式电力电子器件，它将GTR和MOSFET的优点集于一身：输入阻抗高、开关频率高、工作电流大等，在变频器、开关电源、弧焊电源等领域得到广泛地应用。IGBT对驱动电路要求较高，常规来说，IGBT驱动要求有正负相双相电压驱动。目前市面上驱动电路和驱动芯片是比较多的，它必须具备以下功能：1、与控制信号进行隔离；2、有正负相电压输出，且电压可控；3、对输入信号与输出信号的延时要小，且尽量避免失真。目前市面上超声波用IGBT驱动一般采用单个变压器驱动两个上下桥臂所对应的IGBT，输入信号端由两组对管组成桥式驱动电路，其中一个节点连接驱动变压器初级的其中一端，另一个节点串联一个隔直电容后连接至变压器初级的另一端。变压器输出端分成两组，相位完全相反，并各自通过一个电阻和一个二极管串联到IGBT的1脚和3脚。当初级信号某桥为高时，变压器耦合高电平信号到次级，与其相位相同的一组信号则由低电平转为高电平，与其相位相反的一组信号则由高转低，以达到驱动IGBT开关的目的。现有技术的缺陷是：1、对于IGBT驱动而言，需要的正相电压约为15V，负相电压约为5V，传统电路无法同时满足这个条件，因为它的正负相电压是相同的；2、对于传统驱动方式而言，在输入信号小于50％占空比时，会出现接近0V的暂留电压，这个会导致IGBT无法关断，从而引起了上下桥臂共通的风险，也就是会引发烧管的风险；3、...
【技术保护点】
一种超声波用大功率IGBT驱动电路，其特征在于，包括：第一电阻、第一三极管、第二三极管、电源、第二电阻、第一二极管、第三电阻、第四电阻、场效应管、变压器、第二二极管、第三二极管、第一电容、第二电容以及信号处理模块，所述变压器包括：初级绕组、第一次级绕组、第二次级绕组以及第三次级绕组，所述第一电阻一端为信号输入端，所述第一电阻另一端与所述第一三极管的基极、第二三极管的基极连接，所述第一三极管的集电极与所述第二电阻的一端、所述第一二极管的阴极及第一电容的一端连接，所述第二电阻的另一端与电源连接，所述第一电容的另一端接地，所述第一三极管的发射极与所述变压器的初级绕组的第一端连接，所述第二三极管的发射极与所述初级绕组的第一端连接，所述第二三极管的集电极接地，所述第三电阻的一端为信号输入端，所述第三电阻的另一端与所述第四电阻的一端、场效应管的栅极连接，所述第四电阻的另一端接地，所述场效应管的源极接地，其漏极与所述初级绕组的第二端连接，所述变压器的第一次级绕组的第一端与所述第二二极管的阳极连接，所述第二二极管的阴极与所述第二电容的一端、信号处理模块的第一端连接，所述第一次级绕组另一端与所述第二次级... 【技术特征摘要】
1.一种超声波用大功率IGBT驱动电路，其特征在于，包括：第一电阻、第一三极管、第二三极管、电源、第二电阻、第一二极管、第三电阻、第四电阻、场效应管、变压器、第二二极管、第三二极管、第一电容、第二电容以及信号处理模块，所述变压器包括：初级绕组、第一次级绕组、第二次级绕组以及第三次级绕组，所述第一电阻一端为信号输入端，所述第一电阻另一端与所述第一三极管的基极、第二三极管的基极连接，所述第一三极管的集电极与所述第二电阻的一端、所述第一二极管的阴极及第一电容的一端连接，所述第二电阻的另一端与电源连接，所述第一电容的另一端接地，所述第一三极管的发射极与所述变压器的初级绕组的第一端连接，所述第二三极管的发射极与所述初级绕组的第一端连接，所述第二三极管的集电极接地，所述第三电阻的一端为信号输入端，所述第三电阻的另一端与所述第四电阻的一端、场效应管的栅极连接，所述第四电阻的另一端接地，所述场效应管的源极接地，其漏极与所述初级绕组的第二端连接，所述变压器的第一次级绕组的第一端与所述第二二极管的阳极连接，所述第二二极管的阴极与所述第二电容的一端、信号处理模块的第一端连接，所述第一次级绕组另一端与所述第二次级绕组一端、第二电容另一端、第三电容一端以及IGBT连接，所述第二次级绕组另一端与所述第三二极管阴极连接，所述第三二极管的阳极与所述第三次级绕组一端、第三电容另一端及信号处理模块的第二端连接，所述第三次级绕组的另一端与所述信号处...
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