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来源:转载自「中国电子报」,谢谢
第三代半导体在新基建中广泛应用
2022年衬底及器件市场规模将达到15.21亿元及608.21亿元
国内半导体企业应向IDM模式转型
来自: 亲斤彳正禾呈 > 《1 基础软硬件》
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一文带你认识第三代半导体材料双雄——碳化硅VS氮化镓
说完了SiC,再来说说GaN。SiC和GaN的区别不同的应用所需的功率和频率性能不同,无论硅器件还是新型WBG器件,每种类型的器件都有其用武之...
第三代半导体的虚与实
第三代半导体的虚与实。8月27日,在南京举行的世界半导体大会暨第三代半导体产业发展高峰论坛上,国家新材料产业发展专家咨询委员会委员、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲透露:国家2030计...
我国氮化镓行业市场应用领域不断深入 国内投资快速增长
SiC相比,GaN在成本方面表现出更强的潜力,且GaN器件是个平面器件,与现有的Si半导体工艺兼容性强,这使其更容易与其他半导体器件集成。GaN...
新方向起爆!
另外,制备技术进步使得SiC与GaN器件成本不断下降, SiC和GaN的性价比优势将充分显现,第三代半导体的时代即将到来。SiC、GaN有各自的优...
第三代宽禁带功率半导体迎来加速发展,我国或能赶超
SiC功率器件的发展现状。随着国际上SiC功率器件技术的进步和制造工艺从4英寸升级到6英寸,器件产业化水平不断提高,SiC功率器件的成本迅...
最近热炒的“氮化镓”到底是什么?
第三代半导体目前主流器件形式为碳化硅基-碳化硅外延功率器件、碳化硅基-氮化镓外延射频器件。例如,以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同...
盘点金刚石衬底GaN基微波功率器件研究进程
盘点金刚石衬底GaN基微波功率器件研究进程2006年,美国Cree公司的Wu等人研制的GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT),4GHz时的输出功率密度...
氮化镓商用加速,看好国内产业链崛起
GaN材料是宽禁带半导体材料的一种(详见报告《宽禁带半导体行业深度:SiC与GaN的兴起与未来》),相较于Si材料,GaN更耐高温,拥有更高的功率密度输出;GaN产业链按环节分为 Si衬底(或GaN单晶衬底、Si...
开发出高效率、高速、高耐久性的混合型功率半导体——结合GaN和SiC的优势,探索新的可能
开发出高效率、高速、高耐久性的混合型功率半导体——结合GaN和SiC的优势,探索新的可能。关键字:混合型功率半导体、氮化镓(GaN)、碳...
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