A79T具有比PW2301A更高的ID电流值,和更高的VDS耐压 A79T基本参数:VDS = -30V,ID = -4.2A,RDS(ON) < 65mΩ @ VGS=-10V A79T采用SOT23-3L环保材质的封装形式。 A79T采用先进的沟槽技术,高密度,低导通电阻,是一个非常有效和可靠的MOS管装置。 A79T是一颗P沟道的低内阻场效应MOS管。
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