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法国纳米科技（Nanoelec）技术研究所（IRT）宣布实现了Ⅲ-Ⅴ/硅基激光器和硅基马赫-曾德尔（Mach Zehnder）调制器的首次单片集成，单信道内数据传输速率达到25Gbps。IRT nanoelec是由法国国家研究局（ANR）运行的，专注使用微电子和纳电子技术实现信息和通信的研发联盟。（IRT未提供研究成果的照片） 为了实现激光器和调制器的集成，研究人员首先在8寸绝缘体上硅（SOI）晶圆上实现硅光电电路与调制器的集成，然后在该晶圆上“键合”了2寸Ⅲ-Ⅴ材料晶圆，最后对该混合晶圆使用传统半导体和/或微机电系统（MEMS）工艺，生产出集成了调制器和激光器的发射器。 在硅片上集成光电器件可以极大地增加带宽、密度和可靠性，并大幅减少能耗，突破现有技术日益面临的数据传输瓶颈。在硅基光电子时代，数据传输将以每秒太比特计算。 此次技术进展由IRT Nanoelec的合作伙伴意法半导体和法国电子信息研究所（Leti）联合取得，证实了IRT nanoelec在硅基Ⅲ-Ⅴ材料集成以获取高数据速率领域的世界领导地位，为该技术集成进下一代光数据链路用收发机奠定基础。 由于硅光电子器件在欧洲和法国都具有重要地位，IRT Nanoelec于2012年启动“硅光电项目”，项目核心成员包括明导（Mentor）、意法半导体、CEA-Leti和CNRS等，目标是将整个硅基光电价值链所需的专家和设备聚集到一起，使用成熟的微电子器件制造工艺技术实现光电器件的晶圆级集成，提高产量和降低成本。 该项目的核心要求：打造一个集成设计环境、研发出指导性光学/光电器件和工艺、建造技术演示模型。 附： 法国著名咨询公司Yole 2014年整理出的硅光电子器件产业链图。 |
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