【原】GaN-on-SiC|美欧厂商均推出电子战等武器装备用GaN器件

在2016国际微波会议（IMS）（5月22日-27日）上，包括Qorvo、恩智浦（NXP）、金刚石微波（Diamond Microwave）、美高森美（Microsemi）、MACOM、GaN System等公司在内的多家氮化镓（GaN）器件生产商均推出了新的GaN产品。其中，Qorvo和NXP明确推出了多个可适用于电子战等武器系统的GaN产品，两者均是碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）结构，分别介绍如下。

Qorvo公司

美国Qorvo公司（2014年9月由TriQuint和RFMD合并而成）推出三款GaN-on-SiC微波毫米波单片集成电路（MMIC）功率放大器，适用于军用雷达、通信和电子战领域，性能指标如下。

Qorvo公司于2014年完成了美国国防生产法第三法案“GaN-on-SiC”，仍是目前唯一达到制造成熟度9级的GaN器件生产商。

NXP公司

荷兰恩智浦（NXP）公司推出了电子战和战场射频系统用高性能GaN-on-SiC晶体管，可用作驱动和最后一级放大器，覆盖1MHz到3GHz频率范围，集合了高功率密度、高可靠和宽频带内频率响应曲线平坦等特性，能够经受超过20:1的电压驻波比（VSWR），以及3dB的过载，性能指标如下。

此外，Microsemi也推出了6款GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管（HEMT），可用于L波段射频功率晶体管和驱动器，功率输出范围在120W到750W之间，适用于雷达、航空和通信应用。

GaN功率放大器通过提供其他器件所不具备的功率、功率附加效率和增益，可显著改进军用雷达、通信和电子战系统的性能、并减少尺寸和成本。