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英国Technavio公司发布名为《全球磁阻随机存储器（MRAM）市场：2017-2021》的报告，预测2017-2021年全球MRAM市场将以94%的复合年均增长率速度快速增长，并在2021年达到60171亿美元。自旋转移矩（STT）MRAM和触发型（Toggle）MRAM是最主要的两个产品类别，STT-MRAM在2016年的市场占比超过63%。与Toggle MRAM相比，STT-MRAM器件更具效率、速度更快，更容易微缩。 Technovio嵌入式系统研究的产业专家Navin Rajendra表示“MRAM是一类非易失性存储器，使用磁阻而非动态随机存储器（DRAM）和静态随机存储器（SRAM）中的电荷来存储信息。MRAM提供优势包括更高密度，依据读和写速度。而且，与DRAM和SRAM不同的是，MRAM在断电情况下仍能保存数据，所耗电量更小”。 Technavio强调了推动全球MRAM市场增长的三个市场驱动力： 大系统存储量对新型企业和数据中心应用的正常工作变得至关重要。DRAM不能提供这些数据中心所需的容量和低功耗。MRAM具有先进优势，如比DRAM更低的功耗和更高的存储容量。MRAM预计将在预测期内在数据中心和企业存储中替代DRAM。随着全球数据中心需求的增加，制造商将投资使用MRAM的新技术，将推动全球MRAM市场增长。 到2020年，全球将有300亿个互连设备，对数据中心存储市场而言将是一个主要利润来源，因为不断增长的互连设备将产生大量数据，如互连汽车、智能家居、智慧健康、智慧城市等新词将成为流行。很多产业界，如制造、公共事业、零售、汽车和社会媒体将使用物联网。物联网设备需要一个由智慧节点组成的高能效网络，该网络持续工作、持续互连和一直工作，带有低主动占空比。现有物联网器件同时依赖非易失存储器。“制造商已经引入了基于嵌入式STT-MRAM的统一标准的存储器子系统。该系统提供更快的处理，与老技术相比成本和能耗进一步优化。” 在云上存储数据被证实对全球企业而言是一个有效的媒介。很多企业开始将其数据移植云端（存储作为一个服务），并选择Amazon、Microsoft Azure、Goolge云平台等服务提供商。DRAM过去一直在用于云计算应用。但MRAM有更好的特性，如与DRAM相比更快的读写速度和更低的错误率，因此可以预期DRAM在未来将很快被MRAM所替代。 该领域的龙头企业有美国的Avalanche、法国和俄罗斯合资成立的Crocus Nanoelectronics、美国的Everspin。 其他企业包括日本CANON ANELVA、英国Cobham、法国Crocus Technology、日本FUJITSU、美国Honeywell International、韩国SK Hynix和美国Spin Transfer Technologies。
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