【原】GaN|氮化镓器件市场将在2023年达到224.7亿美元，2017年到2023年的复合年增长率达到4.6%

根据市场研究公司MarketsandMarkets近期发布的一份报告，氮化镓（GaN）半导体器件市场预计将从2016年165亿美元上涨到2023年224.7亿美元，2017年到2023年的复合年增长率（CAGR）达到4.6%。

驱动力

驱动GaN半导体器件产业增长的主要因素包括：GaN在消费类电子和汽车领域的巨大潜在应用，GaN材料宽禁带特性所激励的创新应用，GaN在射频功率电子领域的成功，以及GaN射频半导体器件在军事、国防和宇航应用的增加。

但是，碳化硅在高压功率半导体器件领域的优先使用将成为GaN整体市场发展的潜在阻碍，将在未来几年内限制市场增长。

GaN LED

光电器件在2016年占据最大市场份额，归功于其在消费类电子、工业和汽车领域的广泛应用。GaN LED广泛用于笔记本和平板显示、手机显示、投影、电视和监控、标志和大型显示屏等。在车前灯或信号灯、车内灯、雾灯等汽车内部或外部照明中所用GaN LED贡献了最大的市场份额。

功率电子

基于GaN的功率器件对市场的驱动力预计将在2017-2023年显著增长，原因在于其卓越的特性，包括与硅功率器件相比所具有的最小功耗、高速开关的小型化、高击穿电压等。

大的潜在市场包括配电系统、工业系统、重电气系统、涡轮、重型机械、先进工业控制系统、电机计算系统等，以及新的功率应用，如高压直流（HVDC）、智能电网功率系统、风力涡轮、风力功率系统、太阳能功率系统、电动和混动汽车等，都将是更快速增长的主要原因。

区域

亚太地区在2016年占据最大市场份额，预期在2017-2023年仍将占据GaN半导体器件市场的最大份额。这主要源于在消费类、工业和汽车等多种产业中对LED需求的增长。此外，电动汽车充电和电动汽车制造市场，以及不断增加的可再生能源生产也正驱动亚太市场份额的增长。

企业

在该领域的全球知名企业包括：

美国：Cree、Qorvo、MACOM、Microsemi、Analog Devices、Efficient Power Conversion、Integra Technologies、Transphorm、Navitas Semiconductor、Texas Instruments、Northrop Grumman Corporation

加拿大：GaN Systems

德国：英飞凌

英国：Dialog Semiconductor

法国：Exagan

荷兰：Ampleon

以色列：VisIC Technologies

日本：三菱、Nichia、Panasonic、Sumitomo Electric

韩国：三星、

台湾：Epistar