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1HRL实验室为DARPA研发超线性氮化镓晶体管 美国国防先期研究计划局（DARPA）于2017年3月设立动态范围增强型电子和材料（DREaM）项目，主要研究晶体管用于产生和接收射频、微波信号，应用领域主要是国防领域通信、信号情报和电子战等，旨在显着改善从无线电通信到雷达的电磁频谱管理。 研究方向包括新材料和晶体管线性度。新材料将能够容纳更多电荷，承载更大电压，且性能不低于现有材料，有助于开发更高功率、更强能力的晶体管。线性度方向重点是研究晶体管处理宽频率范围信号的线性度，将研究非常规晶体管结构，如非平面和丝状晶体管结构、未出现的几何结构和布局等。 目前DARPA正在通过DREaM计划寻求毫米波系统中具有突破性动态范围的射频晶体管的新设计和材料。 近日，美国HRL实验室获得DARPA授予的研究合同，属于DREaM计划的一部分，主要开发下一代氮化镓晶体管，在降低功耗的同时显着改善线性和噪声系数，用于管理无线电电磁频谱的电子设备与雷达的通信。 在该项目中，HRL将开发先进的超线性氮化镓晶体管，工作在毫米波频率下，可在整个频谱范围内实现无失真的传输和接收。这些晶体管将实现具有更高数据速率的安全超宽带通信，同时降低功耗。 HRL实验室的DREaM项目首席研究员Jeong-sun Moon说，“对于这个项目，我们将研究新材料和器件来开发具有可制造性的超线性氮化镓晶体管。我们的目标是半导体晶体管线性度除以直流功耗达100倍。超线性氮化镓晶体管将满足现代通信对更宽带宽和更高数据速率的需求，包括5G无线通信。” 2美国Qorvo公司用于关键IFF和航空电子应用的1.8KW GaN-on-SiC晶体管 美国Qorvo公司在输出功率高达1.8KW的GaN-on-SiCRF晶体管。近日发布的QPD1025是一款65V氮化镓晶体管，工作频率从1.0-1.1 GHz，可提供出色的信号完整性和扩展范围，这对于L波段航空电子设备和敌我识别（IFF）应用至关重要。 QPD1025是一款1800 W（P3dB）分立GaN-on-SiC HEMT，工作频率从1.0至1.1 GHz，支持连续波和脉冲操作。它的漏极效率显着提高，在效率方面比横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）高出近15％，这在IFF和航空电子应用中非常重要。 该器件采用工业标准空气腔封装，非常适用于IFF，航空电子设备和测试仪器。同时，该器件实现了内部匹配，因此不需要外部匹配网络，节省了相当大的电路板空间。 Qorvo公司的GaN-on-SiC产品具有高功率密度、小尺寸、高增益、高可靠性和工艺成熟性等特点。当前QPD1025的工程样品上市。 3美国Custom MMIC公司推出具有高输入功率处理能力的新型GaN低噪声放大器 美国Custom MMIC公司发布了三款新型GaN低噪声放大器（LNA），并配有易于使用的评估板。 新型GaN MMIC低噪声放大器CMD276C4、CMD277C4和CMD278C4具有高线性性能，输出IP3为+32 dBm，同时提供高达5W的高输入功率处理能力。高输入功率处理功能使系统设计人员免于限制器和其他保护网络限制，同时仍能在工作带宽内实现极低的噪声系数。MMIC LNA采用无引脚4x4 mm QFN封装，非常适合需要高性能和高输入功率生存能力的雷达和电子战（EW）应用。 CMD276C4是2.6至4 GHz（S波段）LNA，可提供大于14 dB的增益，相应的输出1 dB压缩点为+25.5 dBm，噪声系数为1.2 dB。 CMD277C4是5至7 GHz（C波段）LNA，增益为20 dB，输出1 dB压缩点为+26.5 dBm，噪声系数为1.2 dB。 CMD278C4是宽带8-12 GHz（X波段）LNA，增益为15 dB，输出1 dB压缩点为+28 dBm，噪声系数为1.8 dB。
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