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作为美国制造业创新中心之一的电力美国（PowerAmerica）为6个新的项目提供支持，这些项目旨在加强美国的宽禁带（WBG）技术。此外，PowerAmerica还为现有成员领导的20个项目提供了支持，为该周期提供总计2000万美元的项目资金。 PowerAmerica的副执行董事兼首席技术官Victor Veliadis表示：“这些项目有助于PowerAmerica实现加速将宽禁带技术应用于电力电子系统的使命，到目前为止，该创新中心已资助了大量项目，这些项目有助于开发更高效的功率电子产品，这将有利于实现从电动汽车到数据中心等一系列应用。” 六个新项目承研单位及项目内容分别如下： 项目一：先进可靠的WBG功率模块的设计和制造 美国通用电气（GE）航空系统公司和美国能源部国家可再生能源实验室（NREL）将共同设计和生产由碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）制成的先进宽禁带功率模块。项目目标是实现真正的发动机冷却液温度等级装备，这些装备需要支持下一代国防系统以及商业运输、风力发电和天阳能发电，同时降低整体系统成本。 项目二：用于直接48V至低于1V PoL DC-DC模块的双电感混合转换器 科罗拉多大学博尔德分校的一个团队将设计并实施一种基于GaN的新型转换器，其密度是目前市场上转换器密度的10倍，功率损耗最多可降低3倍。该转换器将具有更少的组件，可更简单的实现，成本更低。它可用于向数据中心、蜂窝基站、便携式应用和国防系统供电。 项目三：用于中压级固态电路断路的WBG器件 北卡罗莱纳大学夏洛特分校（UNCC）的一个团队将测试中压（3.3kV）SiC固态断路器的功能原型。碳化硅的使用将实现微秒级或更好的快速关断能力，并且与硅相比具有更高的效率。目标细分市场包括配电网络的公用事业运营商。 项目四：600V GaN双栅极双向开关 英飞凌公司将开发基于其CoolGaN高电子迁移率晶体管（HEMT）技术的低成本600V双向70mOhm开关，充分利用GaN HEMT的独特双向特性。该项目将验证双栅极概念和一种衬底电压稳定的解决方案，并将使GaN开关与目前常用的标准硅器件相比更具经济吸引力。 项目五：研究生宽禁带半导体功率器件实验室 北卡罗来纳州立大学（NCSU）的一个团队将建立一个完全专注于宽禁带功率器件的设计、制造和表征的研究生实验室课程，并向PowerAmerica成员传播课程以加速新工程师的教育。 项目六：加入WBG半导体开关和电路的电力电子教学实验室 北卡罗来纳大学夏洛特分校（UNCC）的研究人员将开发具有即插即用功能的模块化、多功能、教育性高频功率电子板。新电路板将为学生提供灵活性，可以执行不同的功率电子实验室课程，并通过积累WBG半导体在电力电子应用方面的实践经验和实践知识，培训本科学生成为宽禁带电力电子工程师。 2014年11月，下一代电力电子制造创新中心成立，由美国能源部支持，于2015年开放设施，随后更名为电力美国(PowerAmerica)，中心位于北卡罗莱纳州立大学（NCSU），致力于推进以氮化镓和碳化硅为基础的宽禁带半导体电力电子器件。该中心由美国能源部、行业合作伙伴和北卡罗来纳州共同出资成立，并拥有超过45家领先的宽禁带半导体领域公司成员组合。
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