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JEDEC固态技术协会宣布推出《JEP180：氮化镓（GaN）功率转换器件的开关可靠性评估程序指南》。该指南由JEDEC的JC-70宽禁带功率电子转换半导体委员会编写。 编写背景 为了支持GaN功率晶体管的应用，既需要证明能在功率转换应用中可靠运行，还需要证明其开关寿命。现有针对硅功率晶体管的测试不一定能验证功率转换设备在实际使用条件下的工作情况，并且可能不适用于GaN功率晶体管。为了满足这一需求，由行业领先的GaN功率器件制造商组成的行业专家团队历时两年多编写完成了JEP180。 主要内容 JEP180旨在满足GaN功率晶体管和功率转换设备的制造商使用需求。JEP180的推出是自GaN功率晶体管诞生以来，业内首次实现了对GaN功率晶体管的开关可靠性进行评估，并确保其在技术水平和功率转换应用中的鲁棒性。该指南适用于增强型、耗尽型、共源共栅GaN功率晶体管和集成功率解决方案，提供了进行开关加速寿命和动态高温工作寿命测试的指南。 自评 德州仪器（TI）的GaN技术创新架构师和JC-70主席StephanieWatts Butler表示：“新指南可使工程师对开关性能进行可靠评估，将进一步加速GaN在整个行业的采用，尤其是在最看重效率、功率密度和可靠性等指标的汽车和工业市场中”。 英飞凌CoolGaNTM项目的高级顾问和JC-70.1小组委员会主席Tim McDonald表示：“指南涵盖了开关可靠性，并帮助保障GaN器件在各种应用中的成功使用。我们将继续推进工作，为GaN和SiC器件的使用提供更全面的指南和标准。” JC-70 JC-70宽禁带功率电子转换半导体委员会于2017年10月由23家成员公司共同成立，目前拥有60余家成员公司，包括来自美国、欧洲、中东和亚洲的全球跨国公司和技术初创公司，覆盖GaN和SiC功率半导体的行业领导者、宽禁带功率器件的潜在用户及测试和测量设备供应商。 JC-70下设两个小组委员会，分别是JC70.1 GaN功率电子转换半导体标准小组委员会和JC70.2 SiC功率电子转换半导体标准小组委员会。委员会致力于开发通用标准以促进宽禁带（WBG）功率技术被更广泛地采用，研究领域包括可靠性和认证流程、参数表（Datasheet）和性能参数、测试和特性表征方法。 JC-70已发布的文件有两个，一个是JEP180，另一个是2019年2月发布的JEP173。  JEP173 2019年2月，JC-70发布了自成立后的首个文件《JEP173：采用GaN HEMT的功率转换器件的动态导通电阻测试方法指南》。JEP173提供了一种用于在导通状态(RDS(ON))中连续测量漏源电阻的方法，满足了功率GaN FET用户群体的关键需求。 Stephanie Watts Butler表示，“JEP173展示了GaN产业界如何共同解决该重要问题，并开始在供应商之间建立数据表、认证和测试方法的标准。JEP173的发布将通过确保整个供应商的一致，加速GaN在整个行业的应用。” 指南原文欢迎与我们联系 dgzqyqj@163.com（大国重器元器件的首字母）。 信息来源 https://www./news/pressreleases/jedec-wide-bandgap-power-semiconductor-committee-publishes-guideline-switching https://www./news/pressreleases/jedec-wide-bandgap-power-semiconductor-committee-publishes-its-first-document https://www./committees/jc-70
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