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存储器|美国Cobham公司案例研究证实,美国Everspin公司的Toggle MRAM满足空间应用的高可靠性要求

 大国重器元器件 2020-09-11

磁随机存储器(MRAM)

磁随机存储器(MRAM)根据磁阻在不同磁化方向下所表现出阻值的高低来记录0和1;兼具静态随机存储器(SRAM)的高读写速度、动态随机存储器(DRAM)的高集成度和闪存(Flash)的非易失性;还具有功耗低、寿命长和抗辐射能力强等优点,军事和宇航应用潜力巨大。
 
两个公司的由来

美国Cobham先进电子解决方案(CAES)公司是原Aeroflex公司,于2014年被英国Cobham公司收购。美国Everspin公司是2008年由飞思卡尔的MRAM部门独立而成,飞思卡尔(Freescale)公司则是2004年由摩托罗拉半导体部门独立而成。
 
研究证实

CAES近期发布了一份技术案例研究,介绍了其和Everspin公司共同开发的触发型(Toggle) MRAM在空间应用中的多功能性和性能。CAES公司基于Everspin公司的技术提供宇航级MRAM,为空间应用提供抗辐射加固、高可靠非易失性存储器,可抵御SEU、SEL和SEGR等效应,可在-40℃至+105℃的温度范围内工作,提供无限次读写和超过20年的存储能力,包括:
-TID抗辐射能力大于1Mrad(Si)
-读写寿命大于20年(即无限制)
-数据保留能力超过20年,超过了任务的寿命
-45ns的高读/写速度
-QML-Q和QML-Q+质量等级,及高可靠性
 
Everspin产品系列

Everspin公司提供的Toggle MRAM产品系列包括128Kb到32Mb的串行和并行接口以及多种流行的封装选项。还提供256Mb和1Gb的自旋转移矩(STT)MRAM器件。
 
 
研究结果报告


 
自评

CAES公司空间和半导体解决方案标准产品营销总监David Meyouhas表示:“Everspin公司的MRAM技术已在市场上证明了其高性能和耐用性的领先优势,提供了卓越的非易失性数据保留能力,能够满足各种空间任务关键存储需求。我们很高兴与Everspin公司建立了长期的合作关系,使我们能够为航天行业提供符合标准的ToggleMRAM解决方案,满足对高性能、辐射硬化、可在恶劣环境下运行的持久性存储需求。CAES公司的16Mb和64Mb多芯片模块MRAM器件产品目前拥有超过144个空间应用设计案例,覆盖成熟的飞行传统和70多个客户。

Everspin公司销售和营销副总裁Troy Winslow表示:“我们很高兴能与CAES公司合作,为航天行业提供持久性存储器解决方案,我们的Toggle MRAM技术为非易失性存储器提供了前所未有的质量和可靠性,使其成为空间任务关键应用的关键组成部分。”
信息来源
https://www./2020/03/31/new-case-study-from-cobham-advanced-electronic-solutions-touts-everspins-toggle-mram-as-a-highly-reliable-memory-technology-for-space-applications/ 

https://www./sites/default/files/Cobham_MRAM_Qual_and_Reliability.pdf

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