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手机处理器 参考： HiSilicon Exynos (system on chip) List of Qualcomm Snapdragon systems-on-chip List of MediaTek systems-on-chip 手机CPU性能天梯图，http://www.mydrivers.com/zhuanti/tianti/01/ 目前实力最强的是高通，其次是联发科、华为、三星等。 一、处理器架构 v7-A：A5、A7、A9、A15 v8.0-A：A35、A53、A57（骁龙）、A72、A73 v8.2-A：A55、A75、A76、A77 A72基于A57来优化，A72和A57并没有本质的不同，一级二级的缓存容量相同，只是做了一些微调 ARM V8-A架构比较
二、处理器制程 现在手机厂商给大家一个信号“只要手机的处理器工艺制程越小，手机的性能就越突出，功耗就越低“。事实上并非如此，这里还看CPU以及GPU，包括全部的设计，能否让手机的芯片的功耗真的保持在这种优势下。 苹果的A14，华为的麒麟9000系列，骁龙875，均是采用5nm工艺。与手机芯片不同的是，intel的芯片才进入10nm时代，甚至还在14nm工艺。任何一款芯片，主要考虑的是性能、功耗、散热。手机芯片追求的是面积、性能、功耗、散热的平衡，即在性能一定的程度下，功耗要低，发热也要低，体积也要小。 制造工艺的提升，降低芯片的面积，同时降低功耗、减少发热，提升性能。 同样的性能下，工艺提升后，面积变小，功耗变低，发热减少。但是，如果性能提升了，制程降低，功率不一定会降低。 三、联发科v8处理器 四核处理器（A53）：MT6732、6735、6737、6738、6739，采用28nm HPM工艺。其中T为升频，M为降频 8核处理器（A53）：MT6750、6753（4+4）、6752，采用28nm HPM工艺 Helio P系列（A53）：P10、P15、P18，采用28nm HPC工艺 Helio X系列：X20、X23、X25、X27，采用20nm工艺 Helio A系列（A53）：A20、A22、A25，采用12nm FFC工艺 Helio P系列：P20、P23、P25、P30，采用16nm FF+工艺 Helio P系列：P22、P35、P60、P65、P70、P90，采用12nm工艺 Helio G系列：G25、G35、G70、G80、G85、G90，采用12nm工艺 MT6735/6735M（2015），28nm HPM，四核A53，1.3/1.0GHz，Mali-T720 MP2 600/400MHz，32位单通道LPDDR3-640（3GB），LTE Cat.4 MT6753（2015），28nm，八核A53，1.3+1.5GHz，Mali-T720 MP3 700MHz，32位单通道LPDDR3-667（3GB），LTE Cat4 X10（2014），28nm，八核A53，2.0GHz，PowerVR G6200 700MHz，单通道LPDDR3-933，LTE Cat.4 低端处理器 MT6737（2016），28nm HPM，四核A53，1.3GHz，Mali-T720 MP2 650MHz，32位单通道LPDDR3-640（3GB），LTE Cat.4，VOLTE MT6739（2017），28nm HPM，四核A53，1.5GHz，PowerVR GE8100 570MHz，32位单通道LPDDR3-667（3GB），LTE Cat.4/5 MT6750（2016），28nm，八核A53，1.0+1.5GHz，Mali-T860 MP2 400MHz，32位单通道LPDDR3-667（4GB），LTE Cat.6，双载波聚合/VoLTE Helio P10（2015），28nm HPC+，八核A53，1.2/2GHz，Mali-T860 MP2 700MHz，32位单通道LPDDR3-933，LTE Cat.6 G25（2020），12nm，8核A53，2.0GHz，PowerVR GE8320 650MHz，LPDDR3-933/LPDDR4X-1600，LTE Cat.7 G35（2020），12nm，8核A53，2.3GHz，PowerVR GE8320 680MHz，LPDDR3-933/LPDDR4X-1600，LTE Cat.7 A20（2020），12nm，四核A53，1.8GHz，PowerVR GE8300，LPDDR3-800或LPDDR4-1200，LTE Cat6 A22（2018），12nm，四核A53，2.0GHz，PowerVR GE8300，64位LPDDR3-933（4GB）或LPDDR4X-1600（6GB），LTE Cat7 A25（2020），12nm，八核A53，1.5+1.8GHz，PowerVR GE8320，64位LPDDR3-933或LPDDR4X-1600（4GB），LTE Cat4 MT6762/P22（2018），12nm，八核A53，2.0GHz，PowerVR GE8320 650MHz，单通道LPDDR3-933（4GB）或双通道LPDDR4X-1600（6GB），LTE Cat.7 P23（2017），16nm，八核A53，2.3+1.65GHz，Mali-G71MP2 770MHz，2*16位LPDDR4X-1600，LTE Cat.6 P30（2017），16nm，八核A53，2.3+1.65GHz，Mali-G71MP2 950MHz，双通道LPDDR4X-1600，LTE Cat.6/7 MT6765/P35（2018），12nm，八核A53，2.3GHz，PowerVR GE8320 680MHz，单通道LPDDR3-933或双通道LPDDR4X-1600，LTE Cat.7 中端处理器 P70（2018），12nm，四核A73+四核A53，2.1+2.0GHz，Mali-G72MP3 900MHz，双通道LPDDR4X-1800，LTE Cat.7 G70，12nm，双核A75+六核A55，2.0+1.7GHz，Mali-G52 MC2 820MHz，LPDDR4X-1800，LTE Cat.7/13 G80，12nm，双核A75+六核A55，2.0+1.8GHz，Mali-G52 MC2 950MHz，双通道LPDDR4X-1800，LTE Cat.7/13 G85，12nm，双核A75+六核A55，2.0+1.8GHz，Mali-G52 MC2 1GHz，双通道LPDDR4X-1800，LTE Cat.7/13 高端处理器 Helio X30，10nm FF+，双核A73+四核A53+四核A35，2.6+2.2+1.9GHz，PowerVR GT7400 Plus 800MHz，4*16位LPDDR4X-1866，LTE Cat.10/13 四、骁龙处理器 骁龙处理器产品分为：800、600、400、200系列，其中800系列作为高端芯片，而600系列面向中高端市场，骁龙400定位于低端市场。 骁龙400：MSM8226（3G版）/8626（CDMA版）/8926（4G版）、8228/8628/8938、8230/8630/8930。28nm LP 低端处理器 QM215，28nm，4核1.3GHz A53，Adreno 308，32位LPDDR3-672，Cat4 骁龙410（2014），28nm LP，四核1.2GHz A53，Adreno 306，32位LPDDR2/3-533，LTE Cat.4 骁龙425（2016），28nmLP，四核1.4GHz A53，单通道LPDDR3-667，LTE cat4/5 骁龙427，28nmLP，四核1.4GHz A53，LPDDR3-667，LTE cat7/13 骁龙429（2018），12nm，四核1.95GHz A53，LPDDR3，LTE cat4 骁龙430，28nmLP，八核1.4GHz A53，LPDDR3-800，LTE cat4/5 骁龙435，28nmLP，八核1.4GHz A53，LPDDR3-800，LTE cat7/13 骁龙439，12nm FinFET，四核A53+四核A53，1.95+1.45GHz，Adreno 505，LPDDR3，LTE cat4 骁龙450，14nm，八核A53，1.8GHz，单通道LPDDR3-933，LTE cat7/13 骁龙610（2014），28nm LP，四核A53，1.7GHz，Adreno 405，单通道LPDDR3-800，LTE Cat.4 骁龙615，28nmLP，八核A53，1.7+1.0GHz 骁龙616，28nm LP，四核A53＋四核A53，1.7+1.2GHz，Cat4，同上 骁龙617（2015），28nm LP，八核A53，1.5+1.2GHz，Adreno 405，单通道LPDDR3-933，LTE Cat.7 骁龙625，14nm LPP，八核A53，2.0GHz，Adreno 506，单通道LPDDR3-933，LTE Cat.7/13 中端 骁龙460(2020)，11nm，八核Kryo 240(A73+A53)，1.8GHz，LPDDR4X-1866或LPDDR3-933，LTE Cat13 骁龙632，14nm LPP，四核Kryo 250 Gold+四核Kryo 250 Silver(A73+A53)，1.8+1.8GHz，Adreno 506，LPDDR3，LTE Cat7/13 骁龙808，20nm HPM，双核A57+四核A53，2.0+1.44GHz，Adreno 418 600MHz，双通道LPDDR3-800，LTE Cat.9 骁龙810，20nm HPM，四核A57+四核A53，2.0+1.55GHz，Adreno 430 650MHz，双通道LPDDR4-1600，LTE Cat.9 高端 骁龙630，14nm，4+4核，A53，2.2+1.8GHz，双通道LPDDR4-1333，LTE Cat.12/13 骁龙636，14nm LPP，八核Kryo 260，1.8+1.6GHz，Adreno 509，双通道LPDDR4-1333，LTE Cat.12/13 骁龙660，14nm LPP，四核Kryo 260+四核Kryo 260，2.2+1.8GHz，Adreno 512，双通道LPDDR4-1866，LTE Cat.12/13 骁龙650，28nm，2+4核，A72+A53，2*32位LPDDR3-933，Cat7 骁龙662，11nm LPP，四核Kryo 260(A73)+四核Kryo 260(A53)，2.0+1.8GHz，Adreno 610，双通道LPDDR4X-1866，Cat13 骁龙665，11nm LPP，LTE Cat.12/13 骁龙670，10nm LPP，2+6核，2.0+1.7GHz，DDR4X-1866，LTE Cat.12 骁龙675，11nm LPP，双核Kryo 460 Gold+六核Kryo 460 Silver，2.0+1.7GHz，Adreno 612，双通道LPDDR4X-1866，LTE Cat.12/13 骁龙710（2018），10nm，四核Kryo 360 Gold（A75） +四核Kryo Silver 360（A55），2*16位LPDDR4X-1866，Cat15 骁龙820 Lite（2016），14nm FinFET，双核Kryo＋双核Kryo，1.8+1.36GHz，Adreno 530 510MHz，4*16位LPDDR4-1333，LTE Cat.12/13 骁龙835，10nm，四核+四核Kryo 280，2.45+1.9GHz，2*32位LPDDR4X-1866，Cat16 五、海思处理器（DynamIQ） 低端处理器 麒麟620（2014），28nm，A53四核，1.2GHz，32位LPDDR3-800，LTE Cat.4 麒麟650（2016），16nm FF+，四核A53+四核A53，2.0+1.7GHz，Mali-T830 MP2，2*32位LPDDR3-933，LTE Cat.6 麒麟655，16nm FF+，四核A53+四核A53，2.12+1.7GHz，Mali-T830 MP2，64位双通道LPDDR3，LTE Cat.6 麒麟658（2017），16nm FF+，四核A53+四核A53，2.36+1.7GHz，Mali-T830 MP2，64位双通道LPDDR3，LTE Cat.6 麒麟659，16nm FF+，四核A53+四核A53，2.36+1.7GHz，Mali-T830 MP2，64位双通道LPDDR3-933，LTE Cat.6 麒麟930（2015），28nm HPC，四核A53+四核A53，2.0+1.5GHz，Mali-T628 MP4，64位双通道LPDDR3-800，LTE Cat.6 麒麟935，28nm HPC，八核A53，2.2+1.5GHz，Mali-T628 MP4，64位双通道LPDDR3-800，LTE Cat.6 中端 麒麟950（2015），16nm FF+，四核A72+四核A53，2.3+1.8GHz，Mali-T880 MP4 900MHz，2*32位LPDDR4，LTE Cat.6 麒麟955（2016），16nm FF+，四核A72+四核A53，2.5+1.8GHz，Mali-T880 MP4 900MHz，2*32位LPDDR4，LTE Cat.6 高端 麒麟710，12nm FinFET ，四核A73+四核A53，2.2+1.7GHz，Mali-G51 MP4 1000MHz，64位双通道LPDDR3，LTE Cat.12 麒麟810，7nm，双核A76+六核A55，2.27+1.88GHz，Mali-G52 MP6 820MHz，16*4 LPDDR4x-2133，LTE Cat.12 麒麟960，16nm FF+，四核A73+四核A53，2.4+1.8GHz，Mali-G71 MP8，64位双通道LPDDR4-1600，LTE Cat.12/13 麒麟970，10nm，四核A73+四核A53，2.4+1.8GHz，Mali-G72 MP12，四通道LPDDR4X-1833，LTE Cat.18 1.2Gbps 麒麟980，7nm，双核A76改+双核A76改+四核A55，2.6+1.92+1.8GHz，Mali-G76 MP10 720MHz，四通道LPDDR4X-2133，LTE Cat.21 1.4Gbps 麒麟990，7nm，双核A76改+双核A76改+四核A55，2.86+2.09+1.86GHz，Mali-G76 MP16 600MHz，四通道LPDDR4X-2133，巴龙765 4G 六、三星 Exynos 7570（2016），14nm LPC，四核A53，1.4GHz，Mali-T720 MP1-830MHz，LTE Cat.4 Exynos 7580，20nm HKMG，八核A53，1.6GHz，Mali-T720 MP2 668MHz，64位双通道LPDDR3-933，LTE Cat.6 Exynos 7870（2016），14nm LPP，八核A53，1.6GHz，Mali-T830 MP1-700MHz，32位LPDDR3-933，LTE Cat.6 Exynos 7872，14nm，2.0 GHz A73*2 + 1.6 GHz A53*4，32位LPDDR3-933，Cat7 |
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