 能效并不是鳍式场效应晶体管技术的唯一优势。在平面结构中，电子仅通过栅极下的一个表面从源极流动到漏极；而在鳍式场效应晶体管结构中，电子可以在鳍状 3D 结构的三个表面间流动，增加了推动力或流动电子量。值得注意的是，因电子从源极到漏极移动的距离缩短，14 纳米制程的较短栅极长度意味着更快的开启/关闭切换。所以如果把波道比喻为道路，那么与 20 纳米平面结构相比，在 14 纳米鳍式场效应晶体管结构中，车道的数量增加了三倍，而电子需要行驶的路长却减少了。当有更多的电子更快通过波道时，性能也无疑会大幅度提高了。 因此，鳍式场效应晶体管制程能够实现最高水平的效率和性能。与 20 纳米 HKMG 制程技术相比，14 纳米鳍式场效应晶体管制程可使性能提高 20%、能耗降低 35%。在最近推出的 Exynos 8895 处理器中使用的 10 纳米鳍式场效应晶体管制程，与 14 纳米鳍式场效应晶体管 LPE 制程相比，性能提高多达 27%、能耗降低 40%。*此外，三星的先进结构技术能大幅缩小栅极间距，即相邻栅极边缘之间的间隔，从而进一步减小芯片尺寸。 采用 10 纳米鳍式场效应晶体管制程的 Exynos 9 Series (8895) 2015 年，三星推出了移动应用处理器 Exynos 7 Octa (7420)，这是业界首款采用 14 纳米鳍式场效应晶体管技术制造的移动处理器。在 2017 年 2 月推出的 10 纳米鳍式场效应晶体管处理器 Exynos 9 Series (8895) 现已用于新的 Galaxy S8 和 S8+。该突破性成就要归功于自 21 世纪初三星开始对鳍式场效应晶体管进行的前所未有的研发工作。从 2003 年在 IEDM（国际电子元件会议）发表研究论文开始，三星不断取得进展并在鳍式场效应晶体管研究领域宣布其技术成就，并备案了一组相关领域的关键专利。 |
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