【原】影驰HOF Extreme DDR4-4266内存评测

超能网 2020-10-26

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影驰近段时间更新了HOF系列内存产品，包括有三款HOF OC Lab系列还有一款HOF Extreme，这些内存都采用精选的三星B-die颗粒，频率都非常之高，至少3600MHz起步，这四款产品在外形和PCB上有一定差别，现在我们要带来的是影驰HOF Extreme DDR4-4266 8GB*2套装的评测。

HOF Extreme内存支持XMP2.0，拥有3600/4000/4266/4400MHz四种频率，延迟也不高，3600MHz的是CL16，4000MHz的是CL18，4266MHz与4400MHz的是CL19，单根容量8GB，全部以16GB双通道的形式出售，内存的具体时序与售价如下表所示：

外包装方面，HOF Extreme使用了HOF系列内存的坚固纸盒，纯白色的纸盒正面印有影驰名人堂的雷射商标，侧面则写有“Only fore better performance”的文字，表示影驰名人堂的产品是为了追求最强性能而生的。

包装盒里面用一块很厚实的海绵，两根HOF Extreme内存就这样插在海绵上的凹槽里面，固定得相当好。内存的金手指也是有白色塑料套包裹着的，可以有效保护金手指不被氧化。

HOF Extreme内存沿用了上代的极地寒冰散热器，设计简约纯粹，将美学、结构与工艺融合得恰到好处。陶瓷白镜面，还原陶瓷温润质感；克制的色彩运用，诠释影驰名人堂独有个性，外加CNC切割与高光亮边处理，造就如艺术品般的曼妙设计。而且它没有花里花俏的RGB灯光，其实灯光的电路是会影响内存的信号的，对高频内存会有不利影响，整套内存外观简洁而不失HOF的高端气息。

内存采用厚达2mm的铝材散热器，是比较少有的用螺丝固定的内存散热器，紧密贴合DRAM颗粒，配合顶部大面积的多锯齿状散热鳍片，提供高效的被动散热性能。

影驰这套内存使用了三星的B-die芯片，玩过内存的朋友应该都清楚这款DRAM芯片拥有超强的超频潜力，是高频内存的绝佳首选，而为了让内存能在高频下稳定运行，HOF Extreme内存使用了10层的加强型PCB，单面设计，并且使用了10μm的镀金金手指，可让信号传输得更快，并且还有很好的抗氧化性，提升内存使用寿命。散热器内侧有明显的铣刀加工痕迹，可见它不是倒模直接铸造出来的，而是用CNC加工而成的，成本并不低。

内存的高度是47.7mm，在同类产品中是偏高的，作为参照，芝奇幻光戟的内存高度是43.2mm，而标准裸条的高度应该是30mm左右。

用Thaiphoon Burner识别出来的内存信息，确实是三星B-die没错，有三套JEDEC标准时序，分别是1866MHz CL14-14-14-31，2133MHz CL15-15-15-36，2133MHz CL16-15-15-36，默认时序是2133MHz CL15-15-15-36，这三套JEDEC时序都是跑1.2V，XMP时序一套，是4266MHz CL19-19-19-39，工作电压1.4V。

这是CPU-Z识别出来的信息：

超频测试

这次测试使用的是Intel目前最顶级的10核处理器Core i9-10900K，主板是微星MEG Z490I Unify，这是一块ITX主板，内存超频能力甚至强于自家的旗舰，我们会从内存默认的2133MHz频率开始测试，一直到它的超频极限为止，测试内存的带宽与延迟。

默认情况下内存的的频率只有2133MHz，读写速度大概是31000MB/s，内存延迟63.6ns；开启XMP后频率提升到4266MHz，读写速度大概是58000/61000 MB/s，内存延迟46.8ns；在维持CL19-19-19-38时序不变的情况下下可超频至4600MHz，此外CPU Ring频率也一同超至4700MHz，内存的读写速度提升到了63000/64000 MB/s，内存延迟略微下降到44.3ns；把时序增加到CL20-20-20-40的话频率能到4700MHz，电压维持1.4V不变，内存的读写速度提升到了64000/65000 MB/s，内存延迟略微下降到43.6ns。

其实这套内存最高能用4800MHz的频率进系统，也能跑AIDA 64的内存测试，但并不稳定，过不了Memtest，能稳定的超频频率还是4700MHz，这个频率下能够顺利通过Memtest的稳定性测试。