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在今天开幕的三星Tech Day会议上，三星不仅宣布了7nm EUV、16Gb GDDR6显存等新工艺、新产品及新技术，SSD方面也更新了路线图，未来的重点就是96层堆栈的3D TLC闪存以及QLC闪存，其中TLC闪存阵容扩大，多款新品性能提升，容量最大可达30.72TB，而QLC闪存无疑是下一步的重点，除了1Tb核心的还会有512Gb核心的，性能更好，功耗更低，消费级的QLC硬盘860 QVO、980 OVO也确定了，不过规格没公布。  Anandtech网站详细介绍了三星SSD产品路线图的变化，首先来看TLC闪存方面的。 TLC闪存创新高  目前64层堆栈3D TLC闪存的970 EVO、PM981将会被新的970 EVO Plus、PM981a取代，容量没变化，依然是250GB到2TB，主要提升在连续写入方面，不过PM981a的随机性能也明显提升了可以达到970 EVO及970 EVO Plus的水平。 用于数据中心SSD市场的PM983将被PM983a取代，容量翻倍，最高可达16TB，可能只有NF1、U2规格，也没有使用SLC缓存，这使得写入速度会比消费级硬盘更低，不过性能依然是有提升的。 PM991将取代NVMe BGA封装的PM971a硬盘，随机性能翻倍，连续读写速度提升了50%。 企业级SAS产品线中，PM1643将会被PM1643a取代，整体变化不大，主要是随机写入性能提升20%，最大容量依然是30.72TB。 最高端的企业级NVMe硬盘升级了新主控及新闪存，支持PCIe 4.0，因此性能大幅提升，PM1723a目前的速度不过3.5GB/s，新的PM1733硬盘可达8GB/s，最大容量也达到了SAS产品线同级别的30.72TB。此外，PM1733还支持双口PCIe，为高可靠性用户带来了更多的选择。 QLC闪存新增512Gb核心颗粒，860 QVO、980 QVO确认  在说具体的QLC产品之前，Anandtch解释了三星的MLC/TLC/QLC硬盘的命名规则，企业级/OEM产品线中，MLC闪存用SM开头，TLC闪存用PM开头，QLC闪存用BM开头。 在SSD产品中，企业级SAS产品线新增BM1653新品，NVMe产品线新增BM9A3、BM1733产品线，客户端NVMe新增BM991产品线，不过三星并没有公布这些QLC硬盘的具体规格。 消费级QLC硬盘中，三星会推出SATA接口的860 QVO、NVMe标准的980 QVO，这些产品在OEM中找不到，因此可以认为是零售市场的新品，不过具体规格还是没公布，发售计划也没有提及。 此外，三星在2019年Q2季度还会推出512Gb核心容量的QLC闪存，虽然容量比现在的1Tb QLC闪存小了，但是延迟降低了37%，功耗降低了45%，这还是三星用它跟别家1Tb核心QLC闪存对比的，如果对比三星自家的1Tb核心QLC闪存，差距只会更大。 三星第二代Z-SSD  三星面向低延迟SSD市场的Z-SSD系列中还会增加第二代产品SZ1733及SZ1735，容量提升到4最大4TB，明显比第一代的SZ985的800GB大得多，它支持PCIe 4.0及双口PCIe，因此连续速度可达12GB/s，不过最重要的随机性能没有提及。 三星还提到二代Z-SSD会有MLC版本，但Anandtech又说这些产品还是SLC版本。 |
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